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PDF NTE37 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE37 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE36 (NPN) & NTE37 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
AF Power Amplifier, High Current Switch
Description:
The NTE36 (NPN) and NTE37 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO3P type case de-
signed for AF power amplifier and high current switching applications.
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
NTE36
NTE37
ICEO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
Cob
VCB = 80V, IE = 0
VBE = 4V, IC = 0
VCE = 5V, IC = 1A
VCE = 5V, IC = 6A
VCE = 5V, IC = 1A
VCB = 10V, f = 1MHz
– – 0.1
– – 0.1
60 – 200
20 –
–
– 15 –
– 210 –
– 300 –
Base–Emitter Voltage
Collector–Emitter Saturation Voltage
NTE36
NTE37
VBE
VCE(sat)
VCE = 5V, IC = 1A
IC = 5A, IB = 500mA
– – 1.5
– 0.6 2.5
– 1.1 –
Unit
mA
mA
MHz
pF
V
V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE30 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE300 | Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier | NTE |
| NTE3000 | Light Emitting Diode Miniature / Clear Red | NTE |
| NTE30001 | Infrared Emitting Diode Bi.Directional | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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