DataSheet26.com

SEMIX302KT16S PDF даташит

Спецификация SEMIX302KT16S изготовлена ​​​​«Semikron International» и имеет функцию, называемую «Rectifier Thyristor Module».

Детали детали

Номер произв SEMIX302KT16S
Описание Rectifier Thyristor Module
Производители Semikron International
логотип Semikron International логотип 

4 Pages
scroll

No Preview Available !

SEMIX302KT16S Даташит, Описание, Даташиты
SEMiX302KT16s
SEMiX® 2s
Rectifier Thyristor Module
SEMiX302KT16s
Features
• Terminal height 17 mm
• Chips soldered directly to isolated
substrate
Typical Applications*
• Input Bridge Rectifier for AC/DC motor
control
• Power supply
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
Chip
IT(AV)
ITSM
i2t
VRSM
VRRM
VDRM
(di/dt)cr
(dv/dt)cr
Tj
Module
Tstg
Visol
sinus 180°
10 ms
10 ms
Tj = 130 °C
Tj = 130 °C
AC sinus 50Hz
Tc = 85 °C
Tc = 100 °C
Tj = 25 °C
Tj = 130 °C
Tj = 25 °C
Tj = 130 °C
1 min
1s
Characteristics
Symbol Conditions
Chip
VT
VT(TO)
rT
IDD;IRD
tgd
tgr
tq
IH
IL
VGT
IGT
VGD
IGD
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Tj = 25 °C, IT = 900 A
Tj = 130 °C
Tj = 130 °C
Tj = 130 °C, VDD = VDRM; VRD = VRRM
Tj = 25 °C, IG = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
VD = 0.67 * VDRM
Tj = 130 °C
Tj = 25 °C
Tj = 25 °C, RG = 33
Tj = 25 °C, d.c.
Tj = 25 °C, d.c.
Tj = 130 °C, d.c.
Tj = 130 °C, d.c.
per thyristor
per module
sin. 180°
per thyristor
per module
per thyristor
per module
Module
Rth(c-s)
Ms
Mt
a
w
per chip
per module
to heat sink (M5)
to terminals (M6)
Values
300
230
9300
8000
432000
320000
1700
1600
1600
130
1000
-40 ... 130
-40 ... 125
4000
4800
Unit
A
A
A
A
A2s
A2s
V
V
V
A/µs
V/µs
°C
°C
V
V
min.
3
200
3
2.5
typ. max. Unit
1.7 V
0.85 V
1.7 m
75 mA
1 µs
2 µs
150 µs
150 500 mA
300 1000 mA
V
mA
0.25 V
10 mA
K/W
K/W
0.091 K/W
K/W
K/W
K/W
0.045
250
5
5
5 * 9,81
K/W
K/W
Nm
Nm
m/s2
g
KT
© by SEMIKRON
Rev. 41 – 25.03.2010
1









No Preview Available !

SEMIX302KT16S Даташит, Описание, Даташиты
SEMiX302KT16s
Fig. 1L: Power dissipation per thyristor/diode vs.
on-state current
Fig. 1R: Power dissipation per thyristor/diode vs.
ambient temperature
Fig. 2L: Power dissipation of one module vs. rms current
Fig. 2R: Power dissipation of one module vs. case
temperature
Fig. 3L: Power dissipation of two modules vs. direct
current
Fig. 3R: Power dissipation of two modules vs. case
temperature
2
Rev. 41 – 25.03.2010
© by SEMIKRON









No Preview Available !

SEMIX302KT16S Даташит, Описание, Даташиты
SEMiX302KT16s
Fig. 4L: Power dissipation of three modules vs. direct
current
Fig. 4R: Power dissipation of three modules vs. case
temperature
Fig. 5: Recovered charge vs. current decrease
Fig. 6: Transient thermal impedance vs. time
Fig. 7: On-state characteristics
© by SEMIKRON
Fig. 8: Surge overload current vs. time
Rev. 41 – 25.03.2010
3










Скачать PDF:

[ SEMIX302KT16S.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
SEMIX302KT16SRectifier Thyristor ModuleSemikron International
Semikron International

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск