DataSheet26.com

2SD689 PDF даташит

Спецификация 2SD689 изготовлена ​​​​«INCHANGE» и имеет функцию, называемую «Silicon NPN Darlington Power Transistor».

Детали детали

Номер произв 2SD689
Описание Silicon NPN Darlington Power Transistor
Производители INCHANGE
логотип INCHANGE логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

2SD689 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD689
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: hFE = 1000(Min)@ IC= 1A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 100V(Min)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat) = 1.5V(Max)@ IC= 1A
·Complement to Type 2SB679
APPLICATIONS
·Low frequency medium power amplifier and medium speed
switching applications.
·Pulse motor driver, relay drive and hammer drive applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
100 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
100 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
10 V
IC Collector Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
TC=25
Tj Junction Temperature
1.5 A
10 W
150
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
isc websitewww.iscsemi.cn
1









No Preview Available !

2SD689 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD689
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA; IB= 0
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= 5mA; IC= 0
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= 1A ,IB= 2mA
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 1A ,IB= 2mA
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 100V, IE= 0
IEBO Emitter Cutoff Current
hFE-1
DC Current Gain
hFE-2
DC Current Gain
Switching Times
VEB= 10V; IC= 0
IC= 0.1A ; VCE= 2V
IC= 1A ; VCE= 2V
ton Turn-On Time
ts Storage Time
tf Fall Time
IB1= -IB2= 2mA; VCC= 30V
RL= 30Ω;PW=20μs;
Duty Cycle1%
MIN TYP. MAX UNIT
100 V
10 V
1.5 V
2.5 V
10 μA
10 μA
2000
1000
0.3 μs
2.0 μs
0.7 μs
isc websitewww.iscsemi.cn
2










Скачать PDF:

[ 2SD689.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
2SD683Silicon NPN Triple Diffused TypeToshiba
Toshiba
2SD683ASilicon NPN Triple Diffused TypeToshiba
Toshiba
2SD686SILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC
2SD687SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск