PDF HAT1031T Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	HAT1031T
Descripción	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
Fabricantes	Hitachi Semiconductor
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No Preview Available ! HAT1031T Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Capable of 2.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting Outline ADE-208-528D (Z) 5th. Edition December 1998 TSSOP–8 1 D 87 6 5 8 123 4 D 45 GG SS 23 MOS1 SS 67 MOS2 1, 8 Drain 2, 3, 6, 7 Source 4, 5 Gate 1 page HAT1031T Body–Drain Diode Reverse Recovery Time 500 200 100 50 20 10 di / dt = 20 A / µs 5 VGS = 0, Ta = 25 °C –0.1 –0.2 –0.5 –1 –2 –5 –10 Reverse Drain Current I DR (A) 10000 Typical Capacitance vs. Drain to Source Voltage 3000 1000 300 100 Ciss Coss Crss 30 VGS = 0 10 f = 1 MHz 0 –10 –20 –30 –40 –50 Drain to Source Voltage V DS (V) Dynamic Input Characteristics 00 VDD = –5 V –10 V –10 –25 V –2 –20 V DS V DD = –25 V –30 –10 V –5 V –40 –4 V GS –6 –8 –50 I D = –2.5 A 0 1.6 3.2 4.8 6.4 Gate Charge Qg (nc) –10 8 Switching Characteristics 500 V GS = –4 V, V DD = –10 V PW = 3 µs, duty < 1 % 200 100 t d(on) tr 50 t f 20 10 t d(off) 5 –0.1 –0.2 –0.5 –1 –2 –5 Drain Current I D (A) –10 5 5 Page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
HAT1031T	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	Hitachi Semiconductor

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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