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даташит HLD133D PDF ( Datasheet )

HLD133D Datasheet Download - HF-SEMI

Номер произв HLD133D
Описание 220V SERIES TRANSISTORS
Производители HF-SEMI
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HLD133D Даташит, Описание, Даташиты
220V系列晶体管/(220V SE RI ES TRAN SI STORS
HL D1 33D
特点:耐压高 开关速度快 安全工作区宽 符合ROHS指令
FEATURES: HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA ROHS COMPLIA
应用:节能灯 电子镇流器 电子变压器
APPLICATION: FLUORESCENT LAMP ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER
最大额定值:(Tc=25℃)
Absolute Maximum Ratings Tc=25℃)
参数
PARAME T ER
集 电 极-基 极 电 压
Collector-Base Voltage
集 电 极-发 射 极 电 压
Collector-Emitter Voltage
符号
SYMB OL
VCBO
VCEO
发 射 极-基 极 电 压
Emitter-Base Voltage
VEBO
集电极电流
Collector Current
集电极耗散功率
Total Power Dissipation
IC
PC
最高工作温度
Junction Temp erature
Tj
贮存温度
Storage Temp erature
TSTG
额定值
VALUE
700
400
9
2.0
35
150
-55-150
TO-126
单位
UNIT
V
V
V
A
W
B
C
E
TO-126
电特性:(Tc=25℃)
Electronic Characteristics Tc=25℃)
参数
PARAME T ER
集电极-基 极截 止电 流
Collector-Base Cutoff Current
集 电极-发 射极 截止 电流
Collector-Emitter Cutoff Current
集电 极-发 射 极电 压
Collector- Emitter Voltage
发 射极-基 极电 压
Emitter- Base Voltage
符号
SYMB OL
ICBO
ICEO
VCEO
VEBO
集 电极-发 射极 饱和 电压
Collector-Emitter Saturation Voltage
Vcesat
发 射 极-基 极 饱和 电压
Emitter-Base Saturation Voltage
Vbesat
电流放大倍数
DC Current Gain
hFE
贮存时间
Storage Time
下降时间
Falling Time
内置二极管正向压降
Diode Forward Voltage
Ts
Tf
Vf
测试条件
TEST CONDITION
VCB= 700V
VCE= 400V, IB= 0
IC= 10mA, IB= 0
IE= 1mA, IC= 0
IC= 0. 5A, IB= 0. 1A
IC= 1. 0A, IB= 0. 25A
IC= 1. 5A, IB= 0. 3A
IC= 1. 0A, IB= 0. 2A
VCE= 5V, IC= 1mA
VCE= 5V, IC= 0. 5A
VCE= 5V, IC= 2. 0A
VCC=5V IC=0.25A
(Ui9600)
IF= 2. 0A
最小值
MI N
400
9
8
10
5
2.0
最大值
MA X
100
250
0.35
0.60
1.00
1.0
单位
UNIT
µA
µA
V
V
V
V
40
4.0
µS
0.8
2.0 V
地址:深圳市南山区西丽镇平山大园工业区11栋 电话:0755-26515850 传真:0755-26515930 www.hfsemi.com.cn







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220V系列晶体管/(220V SE RI ES TRAN SI STORS
HL D1 33D
地址:深圳市南山区西丽镇平山大园工业区11栋 电话:0755-26515850 传真:0755-26515930 www.hfsemi.com.cn







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TO - 1 2 6机 械 尺 寸 图
15
* 注:可按客户要求增加切短脚工序
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