DataSheet26.com

C5612 PDF даташит

Спецификация C5612 изготовлена ​​​​«Toshiba Semiconductor» и имеет функцию, называемую «NPN Transistor - 2SC5612».

Детали детали

Номер произв C5612
Описание NPN Transistor - 2SC5612
Производители Toshiba Semiconductor
логотип Toshiba Semiconductor логотип 

5 Pages
scroll

No Preview Available !

C5612 Даташит, Описание, Даташиты
2SC5612
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5612
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV
l High Voltage
l Low Saturation Voltage
l High Speed
: VCBO = 2000 V
: VCE (sat) = 3 V (Max.)
: tf = 0.15µs (Typ.)
Unit: mm
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
CollectorBase Voltage
CollectorEmitter Voltage
EmitterBase Voltage
Collector Current
DC
Pulse
Base Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
Tstg
RATING
2000
900
5
22
44
11
220
150
55~150
UNIT
V
V
V
A
A
W
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
CollectorEmitter Breakdown Voltage
DC Current Gain
CollectorEmitter Saturation Voltage
BaseEmitter Saturation Voltage
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
Switching Time
Storage Time
Fall Time
ICBO
IEBO
V (BR) CEO
hFE (1)
hFE (2)
hFE (3)
VCE (sat)
VBE (sat)
fT
Cob
tstg
tf
VCB = 2000 V, IE = 0
VEB = 5 V, IC = 0
IC = 10 mA, IB = 0
VCE = 5 V, IC = 2 A
VCE = 5 V, IC = 9 A
VCE = 5 V, IC = 17 A
IC = 17 A, IB = 4.25 A
IC = 17 A, IB = 4.25 A
VCE = 10 V, IC = 0.1 A
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
ICP = 8 A, IB1 (end) = 1A
fH = 32 kHz
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-21F2A
Weight: 9.75 g (typ.)
MIN TYP. MAX UNIT
――
1 mA
― ― 100 µA
900 ― ― V
15 50
9.5 18.5
4.8 9.0
―― 3 V
― ― 1.3 V
2 MHz
470
pF
4.0 5.0
µs
0.15 0.35
1 2001-08-20









No Preview Available !

C5612 Даташит, Описание, Даташиты
2SC5612
2 2001-08-20









No Preview Available !

C5612 Даташит, Описание, Даташиты
2SC5612
3 2001-08-20










Скачать PDF:

[ C5612.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
C5610NPN Transistor - 2SC5610Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
C5611NPN Transistor - 2SC5611Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
C5612NPN Transistor - 2SC5612Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
C5617NPN SILICON RF TRANSISTORNEC
NEC

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск