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3DD13009-A9 PDF даташит

Спецификация 3DD13009-A9 изготовлена ​​​​«ETC» и имеет функцию, называемую «Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor».

Детали детали

Номер произв 3DD13009-A9
Описание Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor
Производители ETC
логотип ETC логотип 

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3DD13009-A9 Даташит, Описание, Даташиты
产品概述
3DD13009 A9 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
提高了产品击穿电压
和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13009 A9
R
产品特点
开关损耗低
反向漏电流小
特性好
反向击穿电压
可靠性高
应用
计算机电源
大功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
400
12
100
V
A
W
封装 TO-220F
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25
Tc=25
符号
RθJC
RθJA
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
700
400
9
12
24
6
12
2
100
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值 典型值
2012
最大值
1.25
62.5
单位
/W
/W
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3DD13009 A9
R
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=700V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=400V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极正向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=3A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=3A
IC=8A, IB=1.6A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=8A, IB=1.6A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.5A
下降时间
tf
特征频
fT
VCE=10V, IC=0.5 A
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
ts 分档 4~5~6~7μs hFE 分档 20~25~30~35
有害物质说明
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
700
400
9
20 35
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.75 0.9
0.45 1 V
1 1.6 V
4 7 μs
0.6 μs
0.25 μs
4 MHz
害物质或元素
件名称
含量要
Pb
0.1%
引线框
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴二
苯醚
PBDE
0.1%
六溴
十二烷
HBCDD
0.1%
邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲
甲酸酯 酸二丁酯 酸丁苄酯
DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要
目前产品的焊料中Pb但属于欧盟 RoHS 指令豁免
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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3DD13009 A9
R
特性曲线
100
安全工作区(单脉冲)
Ptot Ta 关系曲线
100
10
DC
1
100μs
1ms
0.1 10ms
0.01
1
Ta=25
10 100
1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
5
Ta=25
2.5
80
With Infinite Heatsink
60
40
20
Without Heatsink
0
0
25 50
75 100 125
环境温度 Ta ()
150
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
10 Ta= -55
IB=20mA
0
0
2
46
8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
0.1
Ta=25
0.01
1
IC/IB=5
10 100
集电极电流 IC (A)
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.1
1
10 100
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.5
1
Ta=25
Ta=125
0.5
0.1
IC/IB=5
1 10 100
集电极电流 IC (A)
2012
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Номер в каталогеОписаниеПроизводители
3DD13009-A9Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistorETC
ETC

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

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