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PDF GT40M301 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GT40M301 | |
| Descripción | Silicon N Channel MOS Type INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR | |
| Fabricantes | Toshiba Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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GT40M301
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE
GT40M301
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
Unit: mm
l The 3rd Generation
l FRD Included Between Emitter and Collector
l Enhancement−Mode
l High Speed IGBT : tf = 0.25µs (TYP.)
FRD : trr = 0.7µs (TYP.)
l Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3.4V (MAX.)
MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC
Collector−Emitter Voltage
Gate−Emitter Voltage
Collector Current
Emitter−Collector
Foward Current
Collector Power Dissipation
(Tc = 25°C)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Screw Torque
DC
1ms
DC
1ms
SYMBOL
VCES
VGES
IC
ICP
IECF
IECFP
PC
Tj
Tstg
―
RATING
900
±25
40
80
15
120
200
150
−55~150
0.8
EQUIVALENT CIRCUIT
UNIT
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
N·m
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 9.75g
―
―
2−21F2C
1 2001-06-06
1 page  
GT40M301
5 2001-06-06
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GT40M301 | Silicon N Channel MOS Type INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR | Toshiba Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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