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PDF NTE335 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE335 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE335 & NTE336
Silicon NPN Transistor
RF Power Output
Description:
The NTE335 and NTE336 are silicon NPN RF power transistors designed for power amplifier applications
in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30MHz.
Features:
D Specified 12.5V, 30MHz Characteristics:
Output Power = 80W
Minimum Gain = 12dB
Efficiency
= 50%
D Available in Two Different Package Designs:
NTE335 (W52N, Flange Mount)
NTE336 (T93D, Stud Mount)
Absolute Maximum Ratings:
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Total
DDeveircaeteDaisbsoipvaeti2o5n°C(TC.
=
..
.+.2.5.°.C.).,.P. D. .
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. . . 250W
1.43W/°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.7°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol Test Conditions Min
Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector−Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 100mA, IB = 0
18
−
−V
V(BR)CES IC = 50mA, VBE = 0 36 − − V
Emitter−Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO IE = 10mA, IC = 0
4
−
−V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE330 | Germanium PNP Transistor High Power Switch | NTE |
| NTE3300 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE3301 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE3302 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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