HFP630 PDF даташит
Спецификация HFP630 изготовлена «Shantou Huashan» и имеет функцию, называемую «N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor». |
|
Детали детали
Номер произв | HFP630 |
Описание | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
Производители | Shantou Huashan |
логотип |
1 Pages
No Preview Available ! |
Tstg
Tj
VD S S
VDGR
VG S
ID
PD
Ta=25
(RGS=1M )
Tc=25
T c =25
Ta=25
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
HFP630
TO-220
55~150
55~150
200V
500V
±3 0 V
9 . 0A
72W
1G
2D
3S
µ
±
µ
±3
µ
Скачать PDF:
[ HFP630.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
HFP630 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Shantou Huashan |
HFP630 | 200V N-Channel MOSFET | SemiHow |
HFP630A | 200V N-Channel MOSFET | SemiHow |
HFP634 | 250V N-Channel MOSFET | SemiHow |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |