DataSheet26.com

SD4504 PDF даташит

Спецификация SD4504 изготовлена ​​​​«Sirectifier» и имеет функцию, называемую «Discrete Diodes».

Детали детали

Номер произв SD4504
Описание Discrete Diodes
Производители Sirectifier
логотип Sirectifier логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

SD4504 Даташит, Описание, Даташиты
SD45
Discrete Diodes
AC
C(TAB)
A
C
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode
SD4501
SD4502
SD4503
SD4504
SD4505
SD4506
SD4507
VRSM
V
50
100
200
400
600
800
1000
VRRM
V
50
100
200
400
600
800
1000
Dimensions TO-247AC
Symbol
Test Conditions
IF(AV)M
IFSM
I2t
TC=105oC; 180o sine
TVJ=45oC;
VR =0V;
TVJ=150oC;
VR =0V;
TVJ=45oC;
VR =0V;
TVJ=150oC;
VR =0V;
t=10ms (50Hz), sine
t=8.3ms (60Hz), sine
t=10ms(50Hz), sine
t=8.3ms(60Hz), sine
t=10ms (50Hz), sine
t=8.3ms (60Hz), sine
t=10ms(50Hz), sine
t=8.3ms(60Hz), sine
TVJ
TVJM
Tstg
Md Mounting torque
VISOL 50/60 Hz, RMS, t=1 minute, leads-to-tab
Weight
Symbol
Test Conditions
IR
VF
VTO
rT
RthJC
RthCH
TVJ=TVJM; VR=VRRM
IF=45A; TVJ=25oC
For power-loss calculations only
TVJ=TVJM
DC current
typical
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 19.81 20.32
B 20.80 21.46
C 15.75 16.26
D 3.55 3.65
E 4.32 5.49
F 5.4 6.2
G 1.65 2.13
H - 4.5
J 1.0 1.4
K 10.8 11.0
L 4.7 5.3
M 0.4 0.8
N 1.5 2.49
Inches
Min. Max.
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
- 0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
Maximum Ratings
45
475
520
380
420
1120
1120
720
720
-40...+150
150
-40...+150
0.8...1.2
2500
6
Characteristic Values
<_ 3
<_ 1.18
0.8
8
0.55
0.2
Unit
A
A
A2s
oC
Nm
V~
g
Unit
mA
V
V
m
K/W









No Preview Available !

SD4504 Даташит, Описание, Даташиты
SD45
Discrete Diodes
70
A
60
IF 50
40
T VJ=150°C
TVJ= 25°C
500 50Hz, 80% VRRM
A
IF
S
4
M
00
TVJ = 45°C
300
30 200
20
TVJ = 150°C
100
10
0
0.0 0.4 0.8 1.2 V 1.6
VF
F ig. 1 F orward current vers us voltage
drop per diode
100
W
80
P tot
60
0
0.001
0.01
0.1 s
t
F ig. 2 S urge overload current
1
R thHA :
0.5 K /W
1.0 K /W
1.5K /W
2.0 K /W
3.0 K /W
4.0 K /W
6.0 K /W
40
104
A2s V R = 0 V
I2t
TVJ = 45°C
103
TVJ = 150°C
102
1
2 3 4 15 6 7 8ms9 0
t
F ig. 3 I2t vers us time per diode
50
A
40
IF(AV)M
30
20
20 10
0
0 10 20 30 40 A 0 20 40 60 80 100 120 140 °C
I d(AV )M
T amb
F ig. 4 P ower dissipation versus direct output current and ambient temperature, sine 180°
0.6
0
0 20 40 60 80 100 120 140 °C
TC
F ig. 5 Max. forward current vers us
cas e temperature
K /W
Z thJ C
0.4
0.2
0.0
0.001
0.01
0.1
F ig. 6 T rans ient thermal impedance junction to cas e
C ons tants for ZthJC calculation:
i
1
2
3
DSI45
4
1 s 10
t
R thi (K /W )
0.1633
0.2517
0.0933
0.04167
ti (s )
0.016
0.118
0.588
2.6










Скачать PDF:

[ SD4504.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
SD4501Discrete DiodesSirectifier
Sirectifier
SD4502Discrete DiodesSirectifier
Sirectifier
SD4503Discrete DiodesSirectifier
Sirectifier
SD4504Discrete DiodesSirectifier
Sirectifier

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск