HBR20200 PDF даташит
Спецификация HBR20200 изготовлена «Tianjin Micro Electronic» и имеет функцию, называемую «SCHOTTKY BARRIER DIODE». |
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Детали детали
Номер произв | HBR20200 |
Описание | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
Производители | Tianjin Micro Electronic |
логотип |
6 Pages
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亚微电子
HBR20200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
IF(AV)
VRRM
Tj
VF(max)
20(2×10)A
200 V
175 ℃
0.75V (@Tj=125℃)
用途
APPLICATIONS
高频开关电源
High frequency
低压续流电路和保护
switch power
电 supply
Free wheeling
diodes, polarity
protection
applications
产品特性
共阴结构
FEATURES
Common cathode structure
低功耗,高效率
Low power loss, high
良好的高温特性
efficiency High Operating
有过压保护环,高可靠
性
环保(RoHS)产品
Junction
Temperature
Guard ring for
overvoltage protection,
High reliability
RoHS product
天津亚微电子材料科技有限公司
Tianjin Micro Electronic Material Technology Co,.Ltd.
TEL: (86) 22-2532 3492
地址:天津市经济技术开发区第四大街相安路 16-2 号
ADD:No.16-2 Xiangan Road TEDA Tianjin China
FAX:(86) 22-2521 0431
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亚微电子
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS(Tc=25℃)
项目 Parameter
符号
Symbol
最大反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse
voltage
VRRM
数值
Value
200
单位 Unit
V
最大直流阻断电压 Maximum DC blocking voltage
正向平均整流电流
Average forward
current
TC=150℃
(TO-220C,
TO-263)
TC=125℃
(TO-220F,
TO-220HF)
整个器件
per device
单 侧 per
diode
VDC
IF(AV)
200
20 10
V
A
正向峰值浪涌电流 Surge non repetitive forward
current(额定负载 8.3ms半正弦波 —按 JEDEC方
法) 8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC
IFSM 190 A
Method)
最高结温 Maximum junction temperature
Tj 175 ℃
储存温度 Storage temperature range
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TSTG
-40~+150
℃
项目
Parameter
IR
VF
测试条件 Tests conditions
Tj =25℃
Tj =125℃
Tj =25℃
Tj =125℃
VR=VRRM
IF=10A
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
0.83
0.68
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
最大值
Value(max)
10
6
0.93
0.75
单位
Unit
μA
mA
V
V
项 目 Parameter
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
TO-220C
TO-263
TO-220HF
符号
最小值
Symbol Value(min)
Rth(j-c)
最大值
Value(max)
3.0
3.0
3.5
单位
Unit
℃/W
天津亚微电子材料科技有限公司
Tianjin Micro Electronic Material Technology Co,.Ltd.
TEL: (86) 22-2532 3492
地址:天津市经济技术开发区第四大街相安路 16-2 号
ADD:No.16-2 Xiangan Road TEDA Tianjin China
FAX:(86) 22-2521 0431
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亚微电子
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
特征曲线:ELECTRICAL CHARACTERICS (curves)
天津亚微电子材料科技有限公司
Tianjin Micro Electronic Material Technology Co,.Ltd.
TEL: (86) 22-2532 3492
地址:天津市经济技术开发区第四大街相安路 16-2 号
ADD:No.16-2 Xiangan Road TEDA Tianjin China
FAX:(86) 22-2521 0431
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Номер в каталоге | Описание | Производители |
HBR20200 | SCHOTTKY BARRIER DIODE | Tianjin Micro Electronic |
HBR20200 | SCHOTTKY BARRIER DIODE | Jilin Sino |
HBR20200C | SCHOTTKY BARRIER DIODE | Jilin Sino |
HBR20200CR | SCHOTTKY BARRIER DIODE | Jilin Sino |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
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