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HBR20200 PDF даташит

Спецификация HBR20200 изготовлена ​​​​«Tianjin Micro Electronic» и имеет функцию, называемую «SCHOTTKY BARRIER DIODE».

Детали детали

Номер произв HBR20200
Описание SCHOTTKY BARRIER DIODE
Производители Tianjin Micro Electronic
логотип Tianjin Micro Electronic логотип 

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HBR20200 Даташит, Описание, Даташиты
亚微电子
HBR20200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
IF(AV)
VRRM
Tj
VF(max)
202×10A
200 V
175
0.75V @Tj=125℃)
用途
APPLICATIONS
高频开关电源
High frequency
低压续流电路和保护
switch power
supply
Free wheeling
diodes, polarity
protection
applications
产品特性
共阴结构
FEATURES
Common cathode structure
低功耗,高效率
Low power loss, high
良好的高温特性
efficiency High Operating
有过压保护环,高可靠
环保(RoHS)产品
Junction
Temperature
Guard ring for
overvoltage protection
High reliability
RoHS product
天津亚微电子材料科技有限公司
Tianjin Micro Electronic Material Technology Co,.Ltd.
TEL: (86) 22-2532 3492
地址:天津市经济技术开发区第四大街相安路 16-2 号
ADD:No.16-2 Xiangan Road TEDA Tianjin China
FAX:(86) 22-2521 0431









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HBR20200 Даташит, Описание, Даташиты
亚微电子
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS(Tc=25℃)
项目 Parameter
符号
Symbol
最大反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse
voltage
VRRM
数值
Value
200
单位 Unit
V
最大直流阻断电压 Maximum DC blocking voltage
正向平均整流电流
Average forward
current
TC=150
(TO-220C,
TO-263)
TC=125
(TO-220F,
TO-220HF)
整个器件
per device
单 侧 per
diode
VDC
IF(AV)
200
20 10
V
A
正向峰值浪涌电流 Surge non repetitive forward
current(额定负载 8.3ms半正弦波 JEDEC
法) 8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC
IFSM 190 A
Method)
最高结温 Maximum junction temperature
Tj 175
储存温度 Storage temperature range
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TSTG
-40~+150
项目
Parameter
IR
VF
测试条件 Tests conditions
Tj =25
Tj =125
Tj =25
Tj =125
VR=VRRM
IF=10A
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
0.83
0.68
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
最大值
Value(max)
10
6
0.93
0.75
单位
Unit
μA
mA
V
V
项 目 Parameter
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
TO-220C
TO-263
TO-220HF
符号
最小值
Symbol Value(min)
Rth(j-c)
最大值
Value(max)
3.0
3.0
3.5
单位
Unit
/W
天津亚微电子材料科技有限公司
Tianjin Micro Electronic Material Technology Co,.Ltd.
TEL: (86) 22-2532 3492
地址:天津市经济技术开发区第四大街相安路 16-2 号
ADD:No.16-2 Xiangan Road TEDA Tianjin China
FAX:(86) 22-2521 0431









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HBR20200 Даташит, Описание, Даташиты
亚微电子
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
特征曲线:ELECTRICAL CHARACTERICS curves
天津亚微电子材料科技有限公司
Tianjin Micro Electronic Material Technology Co,.Ltd.
TEL: (86) 22-2532 3492
地址:天津市经济技术开发区第四大街相安路 16-2 号
ADD:No.16-2 Xiangan Road TEDA Tianjin China
FAX:(86) 22-2521 0431










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Номер в каталогеОписаниеПроизводители
HBR20200SCHOTTKY BARRIER DIODETianjin Micro Electronic
Tianjin Micro Electronic
HBR20200SCHOTTKY BARRIER DIODEJilin Sino
Jilin Sino
HBR20200CSCHOTTKY BARRIER DIODEJilin Sino
Jilin Sino
HBR20200CRSCHOTTKY BARRIER DIODEJilin Sino
Jilin Sino

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

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Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
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