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даташит 50N06 PDF ( Datasheet )
Datasheet Download - ETC
| Номер произв | 50N06 | ||||
| Описание | Low voltage high current power MOS FET | ||||
| Производители | ETC | ||||
| логотип |  |
||||
1Page
50N06
* '6
72
Available
RoHS*
COMPLIANT
'
*
6
VDS
ID
VGS
PD
TJ
Tstg
EAS
52.4
Ciss
Coss
Crss
VDS=2v, V GS=0V,f=1.0MHZ
VDS=2v,V GS=0V,f=1.0MHZ
VDS=2v,V GS=0V,f=1.0MHZ
特性参数值(TC=25ºC)
参数说明
漏源反向电压
漏源截止电流
栅源截止电流
通态电阻
栅源极开启电压
跨导
符号
BVDSS
IDSS
IGSS(F/R)
RDS(ON)
VGS(th)
gFS
测试条件
VGS=0V, ID=250uA
VDS=60v,VGS=0V
VGS=±20V,VDS=0V
VGS=10V,ID=26.2A
VGS=5V,ID=26.2A
VDS=VGS,ID=250µA
ID=26.2A,VDS=25V
最小值
60
--
--
--
2.0
--
典型值
--
--
--
0.017
0.020
20
最大值
--
1
±100
0.021
0.025
4.0
--
单位
V
µA
nA
Ω
V
S
动态特性
参数说明
栅极电荷
栅源电荷
栅漏电荷
符号
Qg
Qgs
Qgd
测试条件
VDS=48V
ID=52.4A
VGS=5V
最小值
--
--
--
典型值
24.5
6
14.5
最大值
32
--
--
单位
nC
nC
nC
开关特性
参数说明
延迟时间(开启)
上升时间
延迟时间
下降时间
符号
Td(on)
Tr
Td(off)
tf
测试条件
VDD=30V
IDS=26.2A
RG=25Ω
最小值
--
--
--
--
典型值
20
380
80
145
最大值
50
770
170
300
单位
ns
ns
ns
ns
VGS
Top : 10.0 V
102
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom: 3.0 V
101
100
10-1
ජ Notes :
1. 250த s Pulse Test
2. TC = 25ඓ
100
VDS
1.
(V)
101
60
50
40
VGS = 5V
30
V = 10V
GS
20
10
ජ Note : TJ = 25ඓ
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
ID
3.
(A)
102
101
175ඓ
25ඓ
100
0
2
-55ඓ
4
VGS
2.
ජ Notes :
1. VDS = 25V
2. 250த s Pulse Test
6
(V)
8
10
102
101
175ඓ
25ඓ
100
0.2
0.4
4.
0.6 0.8
VSD
ජ Notes :
1. VGS = 0V
2. 250த s Pulse Test
1.0 1.2 1.4 1.6
(V)
4000
3000
2000
1000
0
10-1
C
oss
C
iss
C
rss
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
ජ Notes :
1. VGS = 0 V
2. f = 1 MHz
100
VDS
5.
101
(V)
12
10
V = 30V
DS
8 VDS = 48V
6
4
2
ජ Note : ID = 52.4A
0
0 10 20 30 40 50
QG (nC)
6.
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