DataSheet26.com

015AZ2.4 PDF даташит

Спецификация 015AZ2.4 изготовлена ​​​​«Toshiba Semiconductor» и имеет функцию, называемую «Silicon Epitaxial Planar Type Diode».

Детали детали

Номер произв 015AZ2.4
Описание Silicon Epitaxial Planar Type Diode
Производители Toshiba Semiconductor
логотип Toshiba Semiconductor логотип 

6 Pages
scroll

No Preview Available !

015AZ2.4 Даташит, Описание, Даташиты
015AZ2.0~015AZ12
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
015AZ2.0~015AZ12
Constant Voltage Regulation Applications
Unit: mm
l Small package
l Nominal voltage tolerance about ±2.5%
(2.0V~12V)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Power dissipation
P* 150
Junction temperature
Tj 125
Storage temperature range
Tstg -55~125
* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,
Pad dimension of 4 × 4mm.
Unit
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
(See Page 2~3)
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 1.4 mg
1-1G1A
Marking
Example 1: 015AZ12-×
Example 2: 015AZ12-×
Pin Assignment (top view)
1 2001-10-30









No Preview Available !

015AZ2.4 Даташит, Описание, Даташиты
015AZ2.0~015AZ12
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Zener
Voltage
Dynamic
Impedance
Knee Dynamic
Impedance
Reverse
Current
Type No.
* VZ (V)
Min Max
IZ
(mA)
ZZ()
Max
015AZ2.0 **
X
Z
015AZ2.2 **
X
Z
015AZ2.4
X
Z
015AZ2.7
X
Z
015AZ3.0
X
Z
015AZ3.3
X
Z
015AZ3.6
X
Z
015AZ3.9
X
Z
X
015AZ4.3
Y
Z
X
015AZ4.7
Y
Z
X
015AZ5.1
Y
Z
X
015AZ5.6
Y
Z
X
015AZ6.2
Y
Z
X
015AZ6.8
Y
Z
* : Test time: t = 30ms
** : Product by order.
1.85
1.95
2.05
2.16
2.28
2.40
2.50
2.65
2.80
2.95
3.10
3.25
3.40
3.55
3.70
3.87
4.00
4.13
4.25
4.40
4.53
4.66
4.80
4.97
5.14
5.30
5.43
5.61
5.80
6.00
6.19
6.40
6.60
6.82
2.05
2.15
2.26
2.38
2.50
2.60
2.75
2.90
3.05
3.20
3.35
3.50
3.65
3.80
3.97
4.10
4.23
4.35
4.50
4.63
4.76
4.90
5.07
5.24
5.40
5.63
5.81
6.00
6.20
6.39
6.60
6.80
7.02
7.20
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
100
100
100
110
120
130
130
130
130
120
70
40
30
25
IZ
(mA)
ZZK()
Max
IZ
(mA)
IR (mA)
Max
5
1000
0.5
120
5
1000
0.5
120
5
1000
0.5
120
5
1000
0.5
120
5
1000
0.5
50
5
1000
0.5
20
5
1000
0.5
10
5
1000
0.5
10
5
1000
0.5
5
5
1000
0.5
5
5
1000
0.5
1
5 900 0.5 1
5 500 0.5 1
5 150 0.5 0.5
VR
(V)
0.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.5
3.0
5.0
2 2001-10-30









No Preview Available !

015AZ2.4 Даташит, Описание, Даташиты
015AZ2.0~015AZ12
Electrical Characteristics (Ta = 25ºC)
Zener
Voltage
Type No.
* VZ (V)
Min Max
IZ
(mA)
X
015AZ7.5
Y
Z
X
015AZ8.2
Y
Z
X
015AZ9.1
Y
Z
X
015AZ10
Y
Z
X
015AZ11
Y
Z
X
015AZ12
Y
Z
* : Test time: t = 30ms
7.00 7.43
7.23 7.66
7.46 7.90
7.70 8.16
7.96 8.43
8.23 8.70
8.50 9.00
8.80 9.30
9.10 9.60
9.40 9.93
9.73 10.26
10.06 10.60
10.40 10.98
10.73 11.26
11.06 11.60
11.40 11.93
11.73 12.26
12.06 12.60
5
5
5
5
5
5
Dynamic
Impedance
ZZ()
Max
IZ
(mA)
23 5
20 5
18 5
15 5
15 5
15 5
Knee Dynamic
Impedance
ZZK ()
Max
IZ
(mA)
120 0.5
120 0.5
120 0.5
120 0.5
120 0.5
110 0.5
Reverse
Current
IR (mA)
Max
VR
(V)
0.5 6.0
0.5 6.5
0.5 7.0
0.5 8.0
0.5 8.5
0.5 9.0
3 2001-10-30










Скачать PDF:

[ 015AZ2.4.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
015AZ2.0Silicon Epitaxial Planar Type DiodeToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
015AZ2.2Silicon Epitaxial Planar Type DiodeToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
015AZ2.4Silicon Epitaxial Planar Type DiodeToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
015AZ2.7Silicon Epitaxial Planar Type DiodeToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск