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Número de pieza | CEB6186 | |
Descripción | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
Fabricantes | CET | |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
60V, 33A, RDS(ON) = 25mΩ @VGS = 10V.
RDS(ON) = 32mΩ @VGS = 4.5V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TO-220 & TO-263 package.
D
G
S
CEB SERIES
TO-263(DD-PAK)
G
D
S
CEP SERIES
TO-220
G
D
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedz
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM
PD
60
±20
33
132
43
0.28
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 175
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
3.5
62.5
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
Details are subject to change without notice .
1
Rev 4. 2011.Feb
http://www.cet-mos.com
1 page |
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PDF Descargar | [ Datasheet CEB6186.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
CEB6186 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | CET |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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