DataSheet26.com

GFP8N60 PDF даташит

Спецификация GFP8N60 изготовлена ​​​​«Haiso» и имеет функцию, называемую «N-channel power FET».

Детали детали

Номер произв GFP8N60
Описание N-channel power FET
Производители Haiso
логотип Haiso логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

GFP8N60 Даташит, Описание, Даташиты
东莞市华索电子有限公司
http://www.chinahaiso.com
场效应晶体管
GFP 8N60
GFP 8N60
概述
GFP 8N60 是增强型 N 沟道功率场效应管,采用平面条形
DMOS 工艺生产制造。
GFP8N60 具有低导通电阻、优越的开关特性以及抗雪崩击
穿能力,适合用于高效开关电源, 电子镇流器等。
极限参数,除非另有规定,T=25
参数
漏源反向击穿电压
连续漏极电流
栅极电压
雪崩能量
耗散功率
储存温度
热阻(结到壳)
正向压降
符号
BVDSS
ID
VGS
EAS
PD
TSTG
RθJC
VSD
额定值
600
7.5
±30
230
147
-55 --150
0.85
1.4
单位
V
A
V
mJ
W
℃/W
V
1 of 2









No Preview Available !

GFP8N60 Даташит, Описание, Даташиты
东莞市华索电子有限公司
http://www.chinahaiso.com
场效应晶体管
GFP 8N60
参数名称
开启电压
栅源漏电流
漏源漏电流
导通电阻
跨导
输入电容
输出电容
传输电容
导通延迟时间
上升时间
下降延迟时间
下降时间
栅极存储电荷
栅源电荷
栅漏电荷
符号
VGS(th)
I GSS
I DSS
RDS(on)
Gfs
C iss
C oss
C rss
td (on)
tr
td (off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
最小值
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.0
8.7
965
105
12
10
25
20
25
9
1.6
4.3
最大值
4.0
±100
10
1.2
-
1255
135
16
30
60
50
60
11
-
-
单位
V
nA
µA
Ω
S
pF
ns
nC
测试条件
VDS=VGS ID=250µA
VGS=±30V, VDS=0V
VDS=600V, VGS=0V
VGS=10V , ID=3.75A
VDS=40V , ID=3.75A
VGS=0V,VDS=25V,
F=1.0MHZ
VDD=300V,ID=2.4A,
RG=25Ω
VDS=480V,VGS=10V,
ID=2.4A,
2 of 2










Скачать PDF:

[ GFP8N60.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
GFP8N60N-Channel enhancement mode power field effect TransistorsETC
ETC
GFP8N60N-channel power FETHaiso
Haiso

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск