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PDF HAT2131R Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza HAT2131R
Descripción Silicon N-Channel Power MOSFET Power Switching
Fabricantes Renesas 
Logotipo Renesas Logotipo



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No Preview Available ! HAT2131R Hoja de datos, Descripción, Manual

HAT2131R
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
Features
Low on-resistance
Low drive current
High density mounting
Capable of 4 V gate drive
Outline
RENESAS Package code: PRSP0008DD-D
(Package name: SOP-8 <FP-8DAV> )
87 65
1 234
4
G
5678
DDDD
SSS
123
REJ03G1815-0100
Rev.1.00
Jul 17, 2009
1, 2, 3
4
5, 6, 7, 8
Source
Gate
Drain
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Ratings
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Body-drain diode reverse drain peak current
Channel dissipation
VDSS
VGSS
ID
ID (pulse) Note1
IDR
IDR (pulse) Note1
Pch Note2
350
±20
0.9
7.2
0.9
7.2
2.5
Channel temperature
Tch 150
Storage temperature
Tstg –55 to +150
Notes: 1. PW 10 µs, duty cycle 1%
2. When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW 10 s
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
REJ03G1815-0100 Rev.1.00 Jul 17, 2009
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HAT2131R pdf
HAT2131R
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
10
D=1
1
0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01 0.01
0.001
1shot pulse
θch – f (t) = γ s (t) • θch – f
θch – f = 83.3°C/W, Ta = 25°C
When using the glass epoxy board
(FR4 40 × 40 × 1.6 mm)
PDM
D = PW
T
PW
T
0.0001
10 µ 100 µ 1 m 10 m 100 m
1
10 100 1000 10000
Pulse Width PW (s)
Switching Time Test Circuit
Switching Time Waveform
Vin Monitor
10
D.U.T.
Vout
Monitor
RL
Vin
10 V
VDD
= 250 V
Vin
Vout
10%
10%
td(on)
90%
tr
90%
90%
td(off)
10%
tf
REJ03G1815-0100 Rev.1.00 Jul 17, 2009
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
HAT2131RSilicon N-Channel Power MOSFET Power SwitchingRenesas
Renesas

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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