DataSheet26.com


015AZ2 даташит

Функция этой детали – «Diode SilICon Epitaxial Planar Type».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
015AZ2 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  Diode Silicon Epitaxial Planar Type

pdf
015AZ2 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  Diode Silicon Epitaxial Planar Type

pdf
015AZ2.0 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  Silicon Epitaxial Planar Type Diode

015AZ2.0~015AZ12 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 015AZ2.0~015AZ12 Constant Voltage Regulation Applications Unit: mm l Small package l Nominal voltage tolerance about ±2.5% (2.0V~12V) Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Power dissipation P* 150 Junction temperature Tj 125 Storage temperature range Tstg -55~125 * Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm, Pad dimension of 4 × 4mm. Unit mW °C °C Electrical Characteristics (See Page 2~3) JEDEC JEITA TOSHIBA
pdf
015AZ2.2 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  Silicon Epitaxial Planar Type Diode

pdf
015AZ2.4 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  Silicon Epitaxial Planar Type Diode

pdf
015AZ2.7 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  Silicon Epitaxial Planar Type Diode

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты