|
015AZ4.7 даташитФункция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type Diode». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
015AZ4.7 | Toshiba Semiconductor |
Silicon Epitaxial Planar Type Diode 015AZ2.0~015AZ12
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
015AZ2.0~015AZ12
Constant Voltage Regulation Applications
Unit: mm
l Small package l Nominal voltage tolerance about ±2.5%
(2.0V~12V)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Power dissipation
P* 150
Junction temperature
Tj 125
Storage temperature range
Tstg -55~125
* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm, Pad dimension of 4 × 4mm.
Unit
mW °C °C
Electrical Characteristics
(See Page 2~3)
JEDEC JEITA TOSHIBA |
Это результат поиска, начинающийся с "015AZ4.7", "015AZ" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
015AZ10 | Toshiba Semiconductor |
Silicon Epitaxial Planar Type Diode 015AZ2.0~015AZ12
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
015AZ2.0~015AZ12
Constant Voltage Regulation Applications
Unit: mm
l Small package l Nominal voltage tolerance about ±2.5%
(2.0V~12V)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Power dissipation |
|
015AZ11 | Toshiba Semiconductor |
Silicon Epitaxial Planar Type Diode 015AZ2.0~015AZ12
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
015AZ2.0~015AZ12
Constant Voltage Regulation Applications
Unit: mm
l Small package l Nominal voltage tolerance about ±2.5%
(2.0V~12V)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Power dissipation |
|
015AZ12 | Toshiba Semiconductor |
Silicon Epitaxial Planar Type Diode 015AZ2.0~015AZ12
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
015AZ2.0~015AZ12
Constant Voltage Regulation Applications
Unit: mm
l Small package l Nominal voltage tolerance about ±2.5%
(2.0V~12V)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Power dissipation |
|
015AZ2 | Toshiba Semiconductor |
Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
|
015AZ2 | Toshiba Semiconductor |
Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
|
015AZ2.0 | Toshiba Semiconductor |
Silicon Epitaxial Planar Type Diode 015AZ2.0~015AZ12
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
015AZ2.0~015AZ12
Constant Voltage Regulation Applications
Unit: mm
l Small package l Nominal voltage tolerance about ±2.5%
(2.0V~12V)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Power dissipation |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |