|
2MBI150U4H-170 даташитФункция этой детали – «Igbt Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2MBI150U4H-170 | Fuji |
IGBT MODULE SPECIFICATION
Device Name : IGBT MODULE
Type Name
: 2MBI150U4H-170
Spec. No. :
MS5F 6144
Jun. 01 ’05 S.Miyashita Jun. 01 ’05 T.Miyasaka
K.Yamada
Y.Seki
MS5F6144
1 13
a
H04-004-07b
Revised Records
Date
Classification
Ind.
Jun.-01 -’05 Enactment
Content
Applied date
Drawn
Checked Checked Approved
Issued date
T.Miyasaka K.Yamada Y.Seki
Oct.-25-’05 Revision
a Revised characteristics
VCE(sat) (P4/13)
S.Miyashita O.Ikawa K.Yamada T.Miyasaka
MS5F6144
2 13
a
H04-004-06b
1. Outline Drawing ( |
|
2MBI150U4H-170-50 | ETC |
Power Devices (IGBT) 6
IGBT
V
6th Gen. IGBT Module V-series
A compact design allows for greater power output · High performance 6th gen. IGBT/FWD chipset · Tj(max.)=175°C, Tj(op)=150°C Environmentally friendly modules · Easy assemblage, solder free options · RoHS compliant Turn-on switching characteristics · Improved noise-loss trade-off · Reduced turn-on dv/dt, excellent turn-on dic/dt Turn-off switching characteristic · Soft switching behavior, turn-off oscillation free
125
600V-100A (chip level)
V-IGBT Von=1.90V
25°C 25 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |