DataSheet26.com


2MBI150U4H-170 даташит

Функция этой детали – «Igbt Module».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2MBI150U4H-170 Fuji
Fuji
  IGBT MODULE

SPECIFICATION Device Name : IGBT MODULE Type Name : 2MBI150U4H-170 Spec. No. : MS5F 6144 Jun. 01 ’05 S.Miyashita Jun. 01 ’05 T.Miyasaka K.Yamada Y.Seki MS5F6144 1 13 a H04-004-07b Revised Records Date Classification Ind. Jun.-01 -’05 Enactment Content Applied date Drawn Checked Checked Approved Issued date T.Miyasaka K.Yamada Y.Seki Oct.-25-’05 Revision a Revised characteristics VCE(sat) (P4/13) S.Miyashita O.Ikawa K.Yamada T.Miyasaka MS5F6144 2 13 a H04-004-06b 1. Outline Drawing (
pdf
2MBI150U4H-170-50 ETC
ETC
  Power Devices (IGBT)

6 IGBT V 6th Gen. IGBT Module V-series A compact design allows for greater power output · High performance 6th gen. IGBT/FWD chipset · Tj(max.)=175°C, Tj(op)=150°C Environmentally friendly modules · Easy assemblage, solder free options · RoHS compliant Turn-on switching characteristics · Improved noise-loss trade-off · Reduced turn-on dv/dt, excellent turn-on dic/dt Turn-off switching characteristic · Soft switching behavior, turn-off oscillation free 125 600V-100A (chip level) V-IGBT Von=1.90V 25°C 25
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты