|
2SD1691T даташитФункция этой детали – «NPN SilICon Epitaxial Power Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SD1691T | SEMTECH |
NPN Silicon Epitaxial Power Transistor ST 2SD1691T
NPN Silicon Epitaxial Power Transistor
For Low-Frequencey Power Amplifiers and Mid-Speed Switching The transistor is subdivided into three groups, M, L and K, according to its DC-DC current gain.
E C B
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Collector to Base Voltage Collector to Emitter Voltage Emitter to Base Voltage Collector Current Base Current Collector Current (pulse)
1)
TO-126 Plastic Package Symbol VCBO VCEO VEBO IC(DC) IB(DC) IC(pulse) Ptot Ptot Tj TS Value 60 60 7 5 1 8 1.3 20 150 -55 to |
Это результат поиска, начинающийся с "2SD1691T", "2SD16" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
ST2SD1691T | SEMTECH |
NPN Silicon Epitaxial Power Transistor ST 2SD1691T
NPN Silicon Epitaxial Power Transistor
For Low-Frequencey Power Amplifiers and Mid-Speed Switching The transistor is subdivided into three groups, M, L and K, according to its DC-DC current gain.
E C B
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Collector to Base |
|
2SD1601 | Inchange Semiconductor |
Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD1601
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 60V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 2A ·Complement to Type 2SB1101
APPLIC |
|
2SD1602 | Inchange Semiconductor |
Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD1602
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 80V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 2A ·Complement to Type 2SB1102
APPLIC |
|
2SD1603 | Inchange Semiconductor Company |
Silicon NPN Darlington Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD1603
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 60V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 4A ·Complement to Type 2SB1103
APPLIC |
|
2SD1603 | Hitachi Semiconductor |
(2SD1603 / 2SD1604) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENT PAIR |
|
2SD1604 | Hitachi Semiconductor |
(2SD1603 / 2SD1604) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENT PAIR |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |