DataSheet26.com


2SD1691T даташит

Функция этой детали – «NPN SilICon Epitaxial Power Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SD1691T SEMTECH
SEMTECH
  NPN Silicon Epitaxial Power Transistor

ST 2SD1691T NPN Silicon Epitaxial Power Transistor For Low-Frequencey Power Amplifiers and Mid-Speed Switching The transistor is subdivided into three groups, M, L and K, according to its DC-DC current gain. E C B Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Collector to Base Voltage Collector to Emitter Voltage Emitter to Base Voltage Collector Current Base Current Collector Current (pulse) 1) TO-126 Plastic Package Symbol VCBO VCEO VEBO IC(DC) IB(DC) IC(pulse) Ptot Ptot Tj TS Value 60 60 7 5 1 8 1.3 20 150 -55 to
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SD1691T", "2SD16"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
ST2SD1691T SEMTECH
SEMTECH

NPN Silicon Epitaxial Power Transistor

ST 2SD1691T NPN Silicon Epitaxial Power Transistor For Low-Frequencey Power Amplifiers and Mid-Speed Switching The transistor is subdivided into three groups, M, L and K, according to its DC-DC current gain. E C B Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Collector to Base
pdf
2SD1601 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1601 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 60V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 2A ·Complement to Type 2SB1101 APPLIC
pdf
2SD1602 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1602 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 80V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 2A ·Complement to Type 2SB1102 APPLIC
pdf
2SD1603 Inchange Semiconductor Company
Inchange Semiconductor Company

Silicon NPN Darlington Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1603 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 60V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 4A ·Complement to Type 2SB1103 APPLIC
pdf
2SD1603 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

(2SD1603 / 2SD1604) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENT PAIR

pdf
2SD1604 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

(2SD1603 / 2SD1604) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENT PAIR

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты