DataSheet26.com


2SJ655 даташит

Функция этой детали – «P-channel SilICon Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SJ655 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
  P-Channel Silicon MOSFET

Ordering number : ENN7712 2SJ655 2SJ655 Features • • • • P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Low ON-resistance. 4V drive. Ultrahigh-speed switching. Motor drive, DC / DC converter. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) Drain Current (Pulse) Allowable Power Dissipation Channel Temperature Storage Temperature Symbol VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg PW≤10µs, duty cycle≤1% Tc=25°C Cond
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SJ655", "2SJ"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
222265553272 Yageo
Yageo

(22226555xxx) Miniature Ceramic Plate Capacitors

pdf
22226555xxxx Yageo
Yageo

(22226555xxx) Miniature Ceramic Plate Capacitors

pdf
2SC2655 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR

2SC2655 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2655 Power Amplifier Applications Power Switching Applications Industrial Applications Unit: mm • Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) • High collector power dissipation: PC = 900
pdf
2SC2655 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC2655 POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS FEATURES *Low saturation voltage VCE(SAT)= 0.5V (Max.) *High speed switching time tstg=1.0µs (Typ.) NPN SILICON TRANSISTOR 1 TO-92NL *Pb-free plating product number: 2SC2655L ORD
pdf
2SC2655 Weitron
Weitron

NPN General Purpose Transistors

2SC2655 NPN General Purpose Transistors P b Lead(Pb)-Free 2 3 1.EMITTER 3.BASE 2.COLLECTOR 1 TO-92MOD ELECTRICAL CHARACTERISTICS£¨ Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter c
pdf
2SC2655 SeCoS
SeCoS

NPN Plastic Encapsulated Transistor

2SC2655 Elektronische Bauelemente 2A , 50V NPN Plastic Encapsulated Transistor RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free FEATURES    TO-92MOD A D Low saturation voltage:VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) High speed switching time:tstg=1μs(
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты