|
2SJ655 даташитФункция этой детали – «P-channel SilICon Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SJ655 | Sanyo Semicon Device |
P-Channel Silicon MOSFET Ordering number : ENN7712
2SJ655
2SJ655
Features
• • • •
P-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device Applications
Low ON-resistance. 4V drive. Ultrahigh-speed switching. Motor drive, DC / DC converter.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) Drain Current (Pulse) Allowable Power Dissipation Channel Temperature Storage Temperature Symbol VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg PW≤10µs, duty cycle≤1% Tc=25°C Cond |
Это результат поиска, начинающийся с "2SJ655", "2SJ" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
222265553272 | Yageo |
(22226555xxx) Miniature Ceramic Plate Capacitors |
|
22226555xxxx | Yageo |
(22226555xxx) Miniature Ceramic Plate Capacitors |
|
2SC2655 | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR 2SC2655
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC2655
Power Amplifier Applications Power Switching Applications
Industrial Applications Unit: mm
• Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) • High collector power dissipation: PC = 900 |
|
2SC2655 | Unisonic Technologies |
POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC2655
POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS
FEATURES
*Low saturation voltage VCE(SAT)= 0.5V (Max.) *High speed switching time tstg=1.0µs (Typ.)
NPN SILICON TRANSISTOR
1 TO-92NL
*Pb-free plating product number: 2SC2655L
ORD |
|
2SC2655 | Weitron |
NPN General Purpose Transistors 2SC2655
NPN General Purpose Transistors
P b Lead(Pb)-Free
2 3 1.EMITTER 3.BASE 2.COLLECTOR 1
TO-92MOD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS£¨
Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter c |
|
2SC2655 | SeCoS |
NPN Plastic Encapsulated Transistor 2SC2655
Elektronische Bauelemente 2A , 50V NPN Plastic Encapsulated Transistor
RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
TO-92MOD
A D
Low saturation voltage:VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) High speed switching time:tstg=1μs( |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |