|
2SK3141 даташитФункция этой детали – «SilICon N Channel Mos Fet High Speed Power». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK3141 | Renesas |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK3141
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance RDS(on) = 4 mΩ typ.
• Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004AC-A (Package name: TO-220AB)
123
G
REJ03G1070-0400 (Previous: ADE-208-680B)
Rev.4.00 Sep 07, 2005
D 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source
S
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7
2SK3141
Absolute Maximum Ratings
Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak curre |
|
2SK3141 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK3141
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-680B (Z) 3rd. Edition February 1999 Features
• Low on-resistance R DS(on) = 4 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
TO–220AB
D
G
1 2 S 3
1. Gate 2. Drain(Flange) 3. Source
2SK3141
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body-drain diode reverse drain current Avalanche current Avalanche energy Channel di |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |