|
3DD13009-A9 даташитФункция этой детали – «SilICon NPN Triple Diffusion Type Bipolar Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
3DD13009-A9 | ETC |
Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor 产品概述
3DD13009 A9 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13009 A9
○R
产品特点
● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 反向击穿电压高 ● 可靠性高
应用
● 计算机电源 ● 大功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO IC
Ptot(TC=25℃)
400 12 100
V A |
Это результат поиска, начинающийся с "3DD13009", "3DD13009" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
3DD13009 | LGE |
NPN Transistor 3DD13009(NPN)
TO-220 Transistor
1. BASE
TO-220
2. COLLECTOR
Features
3 2 1
power switching applications
3. EMITTER
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Tstg
Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter |
|
3DD13009 | ETC |
Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor 1
3DD13009 NPN
3DD13009
2
2.1
2.2
TO-220F
Tamb= 25
-
Ta=25 Tc=25
VCE0 VCB0 VEB0
IC
Ptot
Tj Tstg
400 700 9 12 2 100 150 -55 150
V V V A
W
Tamb= 25
10.4max 3.2
2.7max
4.8max
2.7 15.5max
1.2
0.6
2.54 2.54 BCE
12.7min
2.3 0.6
- ICB0 VCB=700V, IE=0 - IEB0 VEB=9V, IC=0 |
|
3DD13009 | Dayan Technology |
NPN Transistor Dayan Technology Industry Co., Ltd. Shenzhen
1. NPN
3DD13009
2. TO-220 3.
4. Ta=25
VCBO
VCEO
VEBO
IC
T a=25
PC
T c=25
Tj
Tstg
5 Ta=25
700 400
9 12 3.0 100 150 -55~150
V V V A W W
B VCBO B VCEO B VEBO ICBO ICEO IEBO VCE sat
VBEsat hFE tf ts fT
Mi Ma
nx
IC= 1mA I |
|
3DD13009A8 | Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor 产品概述
3DD13009 A8 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13009 A8
○R
产品特点 |
|
3DD13009AN | Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor 产品概述
3DD13009 AN 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13009 AN
○R
产品特点 |
|
3DD13009C8 | Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor 产品概述
3DD13009 C8 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13009 C8
○R
产品特点 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |