|
40N06 даташитФункция этой детали – «N-channel Mosfet Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
40N06 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
40N06
·FEATURES ·Drain Current ID= 40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.035Ω(Max) ·Fast Switching
·APPLICATIONS ·Switching power supplies,converters,AC and DC motor controls
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VDSS VGS
Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage-Continuous
60 ±30
V V
ID Drain Current-Continuous
40 A
IDM Drain C |
|
40N06 | Din-Tek |
DTU40N06 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
60
www.din-tek.jp
DTU40N06
FEATURES
ID (A)
40
rDS(on) (W)
0.016 @ VGS = 10 V
D TrenchFETr Power MOSFET D 175_C Maximum Junction Temperature D 100% Rg Tested
TO-252
D
G G D S
Top View S N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 175_C)b Pulsed Drain Current Continuous Source Current (Diode Conduction) Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |