|
A1815 даташитФункция этой детали – «PNP Epitaxial Planar SilICon Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
A1815 | Sanyo Semicon Device |
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Ordering number:EN4625
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SA1815
FM, RF, MIX, IF Amplifier, High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
Features
· High power gain : PG=25dB (f=100MHz). · High cutoff frequency ; fT=750MHz typ. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · Complementary pair with the 2SC4432.
Package Dimensions
unit:mm 2018A
[2SA1815]
C : Collector B : Base E : Emitter
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter Collector-to-Base Voltage Collector-to-Emitt |
Это результат поиска, начинающийся с "1815", "A1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1815 | NXP Semiconductors |
NPN general purpose transistor DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D186
2PC1815 NPN general purpose transistor
Product specification Supersedes data of 1997 Mar 28 1999 May 28
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistor
FEATURES • Low current (max. 150 |
|
1815 | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxail Type(for Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications) |
|
1815 | Fairchild Semiconductor |
Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC KSC1815
KSC1815
Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC
• Complement to KSA1015 • Collector-Base Voltage : VCBO= 50V
1
TO-92
1. Emitter 2. Collector 3. Base
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol VCBO VCEO |
|
18153 | C&D Technologies |
Axial Lead Inductors |
|
18154 | C&D Technologies |
Axial Lead Inductors |
|
18155 | C&D Technologies |
Axial Lead Inductors |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |