|
AL081C280W даташитФункция этой детали – «High Power Linear Infrared Laser Diode Array». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AL081C280W | Roithner |
High Power Linear Infrared Laser Diode Array AL081C280W
TECHNICAL DATA
High Power Linear Infrared Laser Diode Array
Features
• Output Power: 280 W • 780-830 nm Emission Wavelength • Spectral Width: ≤4 nm • High Reliability, High Efficiency
Applications
• Laser Pumping • Medical Usage • High power laser diode applications
Specifications (25°C)
Item
Optical Specifications CW Output Power Output Power / Bar Array Length Center Wavelength Wavelength Tolerance Spectral Width Number of Bars Wavelength Temperature Coefficient Beam Divergence
Electri |
Это результат поиска, начинающийся с "081C280W", "AL081C2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AL081C200W | Roithner |
High Power Linear Infrared Laser Diode Array AL081C200W
TECHNICAL DATA
High Power Linear Infrared Laser Diode Array
Features
• Output Power: 200 W • 780-830 nm Emission Wavelength • Spectral Width: ≤4 nm • High Reliability, High Efficiency
Applications
• Laser Pumping • Medical Usage • High power laser d |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |