|
AM2716DC даташитФункция этой детали – «2k X 8-bit Uv Eprom». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AM2716DC | AMD |
2K X 8-Bit UV EPROM Free Datasheet http:///
Free Datasheet http:///
Free Datasheet http:///
Free Datasheet http:///
Free Datasheet http:///
|
Это результат поиска, начинающийся с "2716DC", "AM271" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2716 | STMicroelectronics |
NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM
M2716
NMOS 16K (2K x 8) UV EPROM
2048 x 8 ORGANIZATION 525mW Max ACTIVE POWER, 132mW Max STANDBY POWER ACCESS TIME: – M2716-1 is 350ns – M2716 is 450ns SINGLE 5V SUPPLY VOLTAGE STATIC-NO CLOCKS REQUIRED INPUTS and OUTPUTS TTL COMPATIBLE DURING BOTH READ a |
|
2716 | Intel |
16K UV EPROM |
|
2716 | Thomson Components |
16K NMOS UV EPROM |
|
2SC2716 | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC2716
High Frequency Amplifier Applications AM High Frequency Amplifier Applications AM Frequency Converter Applications
2SC2716
Unit: mm
· Low noise figure: NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz)
Maximum Ratings (Ta = 25°C |
|
2SC2716 | Kexin |
Silicon NPN Epitaxial SMD Type
Silicon NPN Epitaxial 2SC2716
SOT-23
+0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1
Transistors IC
Unit: mm
Features
+0.1 2.4-0.1
Low noise figure: NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz).
+0.1 1.3-0.1
1
+0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05 0.1-0.01
+0.1 0.97-0.1
1.Base 2.Emitter |
|
2SC2716 | Inchange Semiconductor |
Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
2SC2716
DESCRIPTION ·High Power Gain: Gp≥12dB,f= 27MHz, PO= 16W ·High Reliability
APPLICATIONS ·Designed for RF power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)
SYMBOL PA |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |