DataSheet26.com


AM2716DC даташит

Функция этой детали – «2k X 8-bit Uv Eprom».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
AM2716DC AMD
AMD
  2K X 8-Bit UV EPROM

Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:///
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2716DC", "AM271"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2716 STMicroelectronics
STMicroelectronics

NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM

M2716 NMOS 16K (2K x 8) UV EPROM 2048 x 8 ORGANIZATION 525mW Max ACTIVE POWER, 132mW Max STANDBY POWER ACCESS TIME: – M2716-1 is 350ns – M2716 is 450ns SINGLE 5V SUPPLY VOLTAGE STATIC-NO CLOCKS REQUIRED INPUTS and OUTPUTS TTL COMPATIBLE DURING BOTH READ a
pdf
2716 Intel
Intel

16K UV EPROM

pdf
2716 Thomson Components
Thomson Components

16K NMOS UV EPROM

pdf
2SC2716 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2716 High Frequency Amplifier Applications AM High Frequency Amplifier Applications AM Frequency Converter Applications 2SC2716 Unit: mm · Low noise figure: NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz) Maximum Ratings (Ta = 25°C
pdf
2SC2716 Kexin
Kexin

Silicon NPN Epitaxial

SMD Type Silicon NPN Epitaxial 2SC2716 SOT-23 +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Transistors IC Unit: mm Features +0.1 2.4-0.1 Low noise figure: NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz). +0.1 1.3-0.1 1 +0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1 2 0.55 0.4 3 +0.05 0.1-0.01 +0.1 0.97-0.1 1.Base 2.Emitter
pdf
2SC2716 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon NPN Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2716 DESCRIPTION ·High Power Gain: Gp≥12dB,f= 27MHz, PO= 16W ·High Reliability APPLICATIONS ·Designed for RF power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL PA
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты