|
AP02N90H-HF даташитФункция этой детали – «N-channel Enhancement Mode Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AP02N90H-HF | Advanced Power Electronics |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET AP02N90H/J-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Simple Drive Requirement ▼ Low On-resistance ▼ Fast Switching Characteristics ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free G
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET D
BVDSS RDS(ON) ID
900V 7.2Ω 1.9A
Description
S
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial app |
|
AP02N90H-HF-3 | Advanced Power Electronics |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Advanced Power Electronics Corp.
AP02N90H/J-HF-3
N-channel Enhancement-mode Power MOSFET
Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristics Low On-resistance RoHS-compliant, Halogen-free G S D
BV DSS R DS(ON) ID
900V 7.2Ω 1.9A
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness.
G D S
TO-252 (H)
The AP02N90H-HF-3 is in the TO-252 package which is widely preferred for commercial and industrial surface mount a |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |