|
AS081Q1200W даташитФункция этой детали – «High Power Stacked Infrared Laser Diode Array». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AS081Q1200W | Roithner |
High Power Stacked Infrared Laser Diode Array AS081Q1200W
TECHNICAL DATA
High Power Stacked Infrared Laser Diode Array
Features
• Output Power: 1200 W qCW • 780-830 nm Emission Wavelength • Spectral Width: ≤4 nm • High Reliability, High Efficiency • QCW stack can be designed according to the
customer of non-standard products heat sink package
Applications
• Laser Pumping • Medical Usage • High power laser diode applications
Specifications (25°C)
Item
Optical Specifications qCW Output Power qCW Output Power / Bar Array Length Center Wavelengt |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |