DataSheet26.com


AS081Q1200W даташит

Функция этой детали – «High Power Stacked Infrared Laser Diode Array».



Показать результаты поиска

scroll
[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
AS081Q1200W Roithner
Roithner
  High Power Stacked Infrared Laser Diode Array

AS081Q1200W TECHNICAL DATA High Power Stacked Infrared Laser Diode Array Features • Output Power: 1200 W qCW • 780-830 nm Emission Wavelength • Spectral Width: ≤4 nm • High Reliability, High Efficiency • QCW stack can be designed according to the customer of non-standard products heat sink package Applications • Laser Pumping • Medical Usage • High power laser diode applications Specifications (25°C) Item Optical Specifications qCW Output Power qCW Output Power / Bar Array Length Center Wavelengt
pdf
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты