|
AWT6114 даташитФункция этой детали – «Power Amplifier Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AWT6114 | ANADIGICS |
Power Amplifier Module AWT6114
KPCS CDMA 3.4V/28dBm Linear Power Amplifier Module
ADVANCED PRODUCT INFORMATION - Rev 0.0
FEATURES
• • • • • • • • InGaP HBT Technology High Efficiency: 37% Low Quiescent Current: 55 mA Low Leakage Current in Shutdown Mode: <5 µA Optimized for a 50 Ω System Low Profile Miniature Surface Mount Package CDMA 1XRTT Compliant CDMA 1xEV-DO Compliant
APPLICATIONS
• Korean Band PCS CDMA Wireless Handsets
M7 Package 10 Pin 4mm x 4mm Surface Mount Module
PRODUCT DESCRIPTION
The AWT6114 is a high p |
Это результат поиска, начинающийся с "6114", "AWT6" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
16114FP | Renesas |
HA16114FP Datasheet.es
To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporat |
|
1N6114 | Microsemi Corporation |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
1N6114 | Semtech Corporation |
500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
1N6102 thru 1N6137
January 16, 1998
TEL:805-498-2111 FAX:805-498-3804 WEB:http://www.semtech.com
© 1997 SEMTECH CORP.
652 MITCHELL ROAD NEWBURY PARK CA 91320
500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
1N6102 thru 1N6137
|
|
1N6114 | New Jersey Semiconductor |
Diode TVS Single Bi-Dir 16.7V 500W 2-Pin Case G-95 |
|
1N6114 | New Jersey Semiconductor |
Diode TVS Single Bi-Dir 16.7V 500W 2-Pin Case G-95 |
|
1N6114 | New Jersey Semiconductor |
Diode TVS Single Bi-Dir 16.7V 500W 2-Pin Case G-95 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |