DataSheet26.com


AWT6114 даташит

Функция этой детали – «Power Amplifier Module».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
AWT6114 ANADIGICS
ANADIGICS
  Power Amplifier Module

AWT6114 KPCS CDMA 3.4V/28dBm Linear Power Amplifier Module ADVANCED PRODUCT INFORMATION - Rev 0.0 FEATURES • • • • • • • • InGaP HBT Technology High Efficiency: 37% Low Quiescent Current: 55 mA Low Leakage Current in Shutdown Mode: <5 µA Optimized for a 50 Ω System Low Profile Miniature Surface Mount Package CDMA 1XRTT Compliant CDMA 1xEV-DO Compliant APPLICATIONS • Korean Band PCS CDMA Wireless Handsets M7 Package 10 Pin 4mm x 4mm Surface Mount Module PRODUCT DESCRIPTION The AWT6114 is a high p
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "6114", "AWT6"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
16114FP Renesas
Renesas

HA16114FP

Datasheet.es To all our customers Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp. The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporat
pdf
1N6114 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

pdf
1N6114 Semtech Corporation
Semtech Corporation

500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 1N6102 thru 1N6137 January 16, 1998 TEL:805-498-2111 FAX:805-498-3804 WEB:http://www.semtech.com © 1997 SEMTECH CORP. 652 MITCHELL ROAD NEWBURY PARK CA 91320 500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 1N6102 thru 1N6137
pdf
1N6114 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode TVS Single Bi-Dir 16.7V 500W 2-Pin Case G-95

pdf
1N6114 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode TVS Single Bi-Dir 16.7V 500W 2-Pin Case G-95

pdf
1N6114 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode TVS Single Bi-Dir 16.7V 500W 2-Pin Case G-95

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты