DataSheet26.com


D04S60 даташит

Функция этой детали – «Sdd04s60».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
D04S60 Infineon Technologies
Infineon Technologies
  SDD04S60

Final data Silicon Carbide Schottky Diode • Worlds first 600V Schottky diode • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery • No temperature influence on the switching behavior • Ideal diode for Power Factor Correction up to 800W 1) • No forward recovery P-TO220-2-2. SDP04S60, SDD04S60 SDT04S60 Product Summary VRRM Qc IF P-TO252-3-1. 600 13 4 P-TO220-3-1. V nC A Type SDP04S60 SDD04S60 SDT04S60 Package P-TO220-3-1. P-T
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "04S60", "D04"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
IDC04S60C Infineon Technologies
Infineon Technologies

2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode

IDC04S60C 2nd generation thinQ!TM SiC Schottky Diode FEATURES: • • • • • • Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide Switching behavior benchmark No reverse recovery No temperature influence on the switching behavior No forward recovery
pdf
IDC04S60CE Infineon Technologies
Infineon Technologies

Schottky Diode

IDC04S60CE 2nd generation thinQ!TM SiC Schottky Diode Features: Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery • No temperature influence on the switching behavior • No forward recovery Datasheet.esaSheet4U.net • Hig
pdf
IDD04S60C Infineon Technologies
Infineon Technologies

Schottky Diode

IDD04S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery/ No forward recovery • No temperature influence on the switching behavior • High surge current cap
pdf
IDH04S60C Infineon Technologies
Infineon Technologies

Schottky Diode

IDH04S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery/ No forward recovery • No temperature influence on the switching behavior • High surge current cap
pdf
IDT04S60C Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG

2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode

IDT04S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery/ No forward recovery • No temperature influence on the switching behavior • Hi
pdf
IDV04S60C Infineon Technologies
Infineon Technologies

Schottky Diode

S iC Silicon Carbide Diode Datasheet.esaSheet4U.net 2 n d G e n e r a t io n t h in Q ! ™ 2nd Generation thinQ!™ SiC Schottky Diode IDV04S60C Data Sheet Rev. 2.0, 2010-01-08 Final In d u s tr ia l & M u l ti m a r k e t 2nd Generation thinQ!™ SiC Schottky Diode IDV04S60C 1
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты