DataSheet26.com


D1006 даташит

Функция этой детали – «NPN Transistor - 2sd1006».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
D1006 Renesas
Renesas
  NPN Transistor - 2SD1006

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SD1006, 1007 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that this is the latest version. Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics sales representative for availability and additional information. Document No. D17972EJ4V0DS00 (4th edition) (Previous No. TC-1369B) Date Published March 2006 NS CP(K) Printed in Japan
pdf
D1006UK Seme LAB
Seme LAB
  METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET D1006UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA B C A E 1 2 3 F G 6 J 5 4 GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 120W – 28V – 175MHz SINGLE ENDED FEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN D H M Q N K O P • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS • LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS • LOW NOISE • HIGH GAIN – 14 dB MINIMUM DV PIN 1 PIN 3 PIN 5 DIM A B C D E F G H J K M N O P Q SOURCE SOURCE GATE mm 9.09 19.3 45° 5.71 1.65R 9.78 20.32 19.30 1.52R 10.77 22.86 3.17 0.13 4.1
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты