|
D1006 даташитФункция этой детали – «NPN Transistor - 2sd1006». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D1006 | Renesas |
NPN Transistor - 2SD1006 DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SD1006, 1007
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version. Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics sales representative for availability and additional information.
Document No. D17972EJ4V0DS00 (4th edition) (Previous No. TC-1369B) Date Published March 2006 NS CP(K) Printed in Japan
|
|
D1006UK | Seme LAB |
METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1006UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
B C A
E
1
2
3
F
G
6
J
5
4
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 120W – 28V – 175MHz SINGLE ENDED
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
D H M
Q
N
K
O
P
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS • LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS • LOW NOISE • HIGH GAIN – 14 dB MINIMUM
DV
PIN 1 PIN 3 PIN 5 DIM A B C D E F G H J K M N O P Q SOURCE SOURCE GATE mm 9.09 19.3 45° 5.71 1.65R 9.78 20.32 19.30 1.52R 10.77 22.86 3.17 0.13 4.1 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |