DataSheet26.com


D1010UK даташит

Функция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
D1010UK Seme LAB
Seme LAB
  METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET D1010UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA C (2 pls) B G (typ) 2 1 H D 3 P (2 pls) A 5 4 GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 125W – 28V – 500MHz PUSH–PULL FEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN E (4 pls) F I N M O J K • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS DRAIN 1 GATE 2 DR PIN 1 PIN 3 PIN 5 SOURCE (COMMON) DRAIN 2 GATE 1 DIM A B C D E F G H I J K M N O P Millimetres 19.05 10.77 45° 9.78 5.71 27.94 1.52R 10.16 22.22 0.13 2.72 1.70 5.08 34.03 1.57R Tol. 0.50 0.13
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1010UK", "D101"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1010 Philips
Philips

Tube Redresseur Biplaque

Datasheet.esaSheet.in Datasheet.esaSheet.in page 1 2 3 1010 sheet 1 2 FP date 1954.08.08 1954.08.08 1999.08.11 Datasheet.esaSheet.in
pdf
10100 Philips
Philips

Quad 2 Input NOR Gate

pdf
10102 Philips
Philips

Quad 2 Input Nor Gate

pdf
1010PT nELL
nELL

Phase Control Thyristors

RRooHHSS SEMICONDUCTOR 1010PT Series RRooHHSS www.nellsemi.com Page 2 of 5 SEMICONDUCTOR 1010PT Series RRooHHSS www.nellsemi.com Page 3 of 5 SEMICONDUCTOR 1010PT Series RRooHHSS www.nellsemi.com Page 4 of 5 SEMICONDUCTOR 1010PT Series RRooHHSS www.nellsemi.com Pag
pdf
11HS1010 ETC
ETC

Hybrid Stepper Motors

HYBRID STEPPING MOTORS 0.9˚ 2-PHASE 1.8˚ 3.6˚ 11HS SERIES 1.8° Key Features I High Accuracy I Low Inertia I Small Size General Specifications Bi-polar Model Number 11HS1005 11HS1006 11HS1007 11HS1008 11HS3005 11HS5005 11HS5007 11HS5008 11HS5009 Resistance Inductance Ra
pdf
1S1010 American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

Diode ( Rectifier )

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты