|
D1010UK даташитФункция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D1010UK | Seme LAB |
METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1010UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
C (2 pls)
B
G (typ)
2 1
H D
3
P (2 pls) A
5
4
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 125W – 28V – 500MHz PUSH–PULL
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
E (4 pls) F I
N
M
O
J
K
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
DRAIN 1 GATE 2
DR
PIN 1 PIN 3 PIN 5 SOURCE (COMMON) DRAIN 2 GATE 1 DIM A B C D E F G H I J K M N O P Millimetres 19.05 10.77 45° 9.78 5.71 27.94 1.52R 10.16 22.22 0.13 2.72 1.70 5.08 34.03 1.57R Tol. 0.50 0.13 |
Это результат поиска, начинающийся с "1010UK", "D101" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1010 | Philips |
Tube Redresseur Biplaque Datasheet.esaSheet.in
Datasheet.esaSheet.in
page 1 2 3
1010 sheet 1 2 FP
date 1954.08.08 1954.08.08 1999.08.11
Datasheet.esaSheet.in
|
|
10100 | Philips |
Quad 2 Input NOR Gate |
|
10102 | Philips |
Quad 2 Input Nor Gate |
|
1010PT | nELL |
Phase Control Thyristors RRooHHSS
SEMICONDUCTOR
1010PT Series RRooHHSS
www.nellsemi.com
Page 2 of 5
SEMICONDUCTOR
1010PT Series RRooHHSS
www.nellsemi.com
Page 3 of 5
SEMICONDUCTOR
1010PT Series RRooHHSS
www.nellsemi.com
Page 4 of 5
SEMICONDUCTOR
1010PT Series RRooHHSS
www.nellsemi.com
Pag |
|
11HS1010 | ETC |
Hybrid Stepper Motors HYBRID STEPPING MOTORS
0.9˚
2-PHASE 1.8˚ 3.6˚
11HS SERIES 1.8°
Key Features
I High Accuracy I Low Inertia I Small Size
General Specifications
Bi-polar
Model Number
11HS1005 11HS1006 11HS1007 11HS1008 11HS3005 11HS5005 11HS5007 11HS5008 11HS5009
Resistance Inductance Ra |
|
1S1010 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |