|
D1022 даташитФункция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D1022 | Seme LAB |
METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1022UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
A K
B (2 pls) E
C 1
2
3
D 5 4
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 100W – 28V – 500MHz PUSH–PULL
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
G (4 pls)
F
H
J
I
M
N
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS • LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS • LOW NOISE
DK
PIN 1 PIN 3 PIN 5 SOURCE (COMMON) PIN 2 DRAIN 2 GATE 1 PIN 4 DRAIN 1 GATE 2
DIM A B C D E F G H I J K M N
mm 6.45 1.65R 45° 16.51 6.47 18.41 1.52 4.82 24.76 1.52 0.81R 0.13 |
|
D1022UK | Seme LAB |
METAL GATE RF SILICON FET |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |