|
D1069 даташитФункция этой детали – «SilICon NPN Double Diffused Type Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D1069 | Toshiba Semiconductor |
NPN Transistor - 2SD1069 |
|
D1069 | Toshiba |
SILICON NPN DOUBLE DIFFUSED TYPE TRANSISTOR This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
|
|
D1069 | INCHANGE |
Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD1069
DESCRIPTION ·High Collector Current Capability ·High Collector Power Dissipation Capability ·Built-in Damper Diode
APPLICATIONS ·TV horizontal deflection output applications. ·High voltage switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
300 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
150 V
VEBO Emitter-Base Voltage
6V
IC Collector Current-Continuous
7A
ICM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |