|
H1116 даташитФункция этой детали – «PNP SilICon Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
H1116 | SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES |
PNP SILICON TRANSISTOR DataSheet.in
PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H1116
¨€ APPLICATIONS
Audio frequency power Aamplifier& Medium Speed switching Low frequency power amplifier. ¨€ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨ Ta=25¡æ£©
T stg ¡ ª ¡ ªStorage Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-55~150¡æ T j ¡ª¡ªJunction Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡150¡æ PC¡ª¡ªCollector Dissipation¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡750mW VCBO ¡ª¡ª Collector-Base Volta |
Это результат поиска, начинающийся с "1116", "H1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N1116 | ETC |
Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case
TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) VCEO (V) *VCER VEBO (V) ICBO @ (µA) *ICEO **ICES ***ICEV ****ICER MIN 6.0 6.0 5.0 5.0 7.0 7.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 5.0 6.0 5.0 5.0 5.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 5.0 5.0 5.0 7.0 6.0 4.5 6.0 7.0 7.0 6.0 6.0 7.0 |
|
2N1116 | New Jersey Semiconductor |
SILICON PNP TRANSISTOR |
|
2SA1116 | ETC |
PNP Transistor |
|
2SA1116 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1116
DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2SC2607 APPLICATIONS ·For power switching amplifier and general purpose applications
PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base |
|
2SA1116 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
|
2SB1116 | NEC |
PNP SILICON TRANSISTORS DATA SHEET
SILICON TRANSISTORS
2SB1116, 1116A
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
FEATURES • Low VCE(sat)
VCE(sat) = −0.20 V TYP. (IC = −1.0 A, IB = −50 mA) • High PT in small dimension with general-purpose
PT = 0 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |