DataSheet26.com


HGT1S20N36G3VLS даташит

Функция этой детали – «Voltage Clamping Igbts».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
HGT1S20N36G3VLS Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
  Voltage Clamping IGBTs

March 2004 HGTP20N36G3VL,HGT1S20N36G3VLS, HGT1S20N36G3VL 20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs Features • Logic Level Gate Drive • Internal Voltage Clamp • ESD Gate Protection • TJ = 175oC • Ignition Energy Capable Description This N-Channel IGBT is a MOS gated, logic level device which is intended to be used as an ignition coil driver in automotive ignition circuits. Unique features include an active voltage clamp between the collector and the gate which provides Self Clamped Inductive
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1S20N36G3VLS", "HGT1S20N36G3"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
HGT1S20N36G3VL Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

Voltage Clamping IGBTs

March 2004 HGTP20N36G3VL,HGT1S20N36G3VLS, HGT1S20N36G3VL 20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs Features • Logic Level Gate Drive • Internal Voltage Clamp • ESD Gate Protection • TJ = 175oC • Ignition Energy Capable Description This N-Channel IGBT
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты