|
HGT1S20N36G3VLS даташитФункция этой детали – «Voltage Clamping Igbts». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HGT1S20N36G3VLS | Fairchild Semiconductor |
Voltage Clamping IGBTs March 2004
HGTP20N36G3VL,HGT1S20N36G3VLS, HGT1S20N36G3VL
20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs
Features
• Logic Level Gate Drive • Internal Voltage Clamp • ESD Gate Protection • TJ = 175oC • Ignition Energy Capable
Description
This N-Channel IGBT is a MOS gated, logic level device which is intended to be used as an ignition coil driver in automotive ignition circuits. Unique features include an active voltage clamp between the collector and the gate which provides Self Clamped Inductive |
Это результат поиска, начинающийся с "1S20N36G3VLS", "HGT1S20N36G3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HGT1S20N36G3VL | Fairchild Semiconductor |
Voltage Clamping IGBTs March 2004
HGTP20N36G3VL,HGT1S20N36G3VLS, HGT1S20N36G3VL
20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs
Features
• Logic Level Gate Drive • Internal Voltage Clamp • ESD Gate Protection • TJ = 175oC • Ignition Energy Capable
Description
This N-Channel IGBT |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |