|
I882 даташитФункция этой детали – «TechnICal SpecifICations Of NPN Epitaxial Planar Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
I882 | Dc Components |
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
DC COMPONENTS CO., LTD.
R
I882
DISCRETE SEMICONDUCTORS
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for use in output stage of 10W audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter, and relay driver.
TO-251
.268(6.80) .252(6.40) .217(5.50) .205(5.20) 2
Pinning
1 = Base 2 = Collector 3 = Emitter
.022(0.55) .018(0.45) .063(1.60) .055(1.40)
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
Characteristic Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage |
Это результат поиска, начинающийся с "882", "I" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N3882 | Freescale |
Silicon Rectifier |
|
1N3882 | Digitron Semiconductors |
FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER 1N3879-1N3883
High-reliability discrete products and engineering services since 1977
FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER
FEATURES Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. Available as non-RoH |
|
1N3882 | SSDI |
FAST RECOVERY RECTIFIER |
|
1N3882 | Solid State |
Fast Recovery Power Rectifier |
|
1N3882 | GeneSiC |
Silicon Fast Recovery Diode Silicon Fast Recovery Diode
Features • High Surge Capability • Types up to 400 V VRRM • Not ESD Sensitive
Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. 3. Stud is base.
1N3879 thru 1N3883R
VRRM = 50 V - 400 V IF = 6 A
DO-4 Package
Ma |
|
1N3882 | International Rectifier |
FAST RECOVERY DIODES FAST RECOVERY DIODES
Bulletin PD-2.030 revG 01/05
1N3879(R), 1N3889(R) 6/ 12/ 16FL(R) SERIES
Stud Version
Major Ratings and Characteristics
Parameters
1N3879- 1N38891N3883 1N3893
6FL
12FL 16FL Units
IF(AV)@ TC = 100°C 6 * 12 * 6 12 16 A
IF(RMS)
9.5 19 9.5 19 25 A
IFSM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |