|
IRF661TRPBF даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor )». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
IRF661TRPBF | International Rectifier |
MOSFET ( Transistor ) RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques
PD - 97215
IRF6612PbF
IRF661TRPbF
DirectFET™ Power MOSFET
Typical values (unless otherwise specified)
VDSS
VGS
RDS(on)
RDS(on)
30V max ±20V max 2.5mΩ@ 10V 3.4mΩ@ 4.5V
Qg tot Qgd
Qgs2
Qrr
Qoss Vgs(th)
30nC 10nC 2.9nC 8.1nC 18nC 1.8V
Appl |
Это результат поиска, начинающийся с "661TRPBF", "IRF661TR" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N3661 | Microsemi Corporation |
Silicon Power Rectifier |
|
1N3661 | New Jersey Semiconductor |
Diode Switching 200V 35A 2-Pin DO-21 |
|
1N5661 | Microsemi |
1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http://www.microsemi.com
TECHNICAL DATA SHEET
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298
1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT |
|
1N5661 | Littelfuse |
Silicon Avalanche Diodes Silicon Avalanche Diodes
1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors
1N56 Series
FEATURES
• Hermetically sealed • Breakdown voltage range 6.8 - 200 volts • Glass passivated junction • Excellent clamping capability • Low zener impedance •100% surge test |
|
1N5661 | New Jersey Semiconductor |
Diode TVS Single Uni-Dir 121V 1.5KW 2-Pin DO-13 |
|
1N5661A | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |