DataSheet26.com


IRF661TRPBF даташит

Функция этой детали – «Mosfet ( Transistor )».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
IRF661TRPBF International Rectifier
International Rectifier
  MOSFET ( Transistor )

RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques PD - 97215 IRF6612PbF IRF661TRPbF DirectFET™ Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) VDSS VGS RDS(on) RDS(on) 30V max ±20V max 2.5mΩ@ 10V 3.4mΩ@ 4.5V Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) 30nC 10nC 2.9nC 8.1nC 18nC 1.8V Appl
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "661TRPBF", "IRF661TR"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N3661 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

Silicon Power Rectifier

pdf
1N3661 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Switching 200V 35A 2-Pin DO-21

pdf
1N5661 Microsemi
Microsemi

1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http://www.microsemi.com TECHNICAL DATA SHEET Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT
pdf
1N5661 Littelfuse
Littelfuse

Silicon Avalanche Diodes

Silicon Avalanche Diodes 1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors 1N56 Series FEATURES • Hermetically sealed • Breakdown voltage range 6.8 - 200 volts • Glass passivated junction • Excellent clamping capability • Low zener impedance •100% surge test
pdf
1N5661 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode TVS Single Uni-Dir 121V 1.5KW 2-Pin DO-13

pdf
1N5661A American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

Diode ( Rectifier )

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты