DataSheet26.com


K100UF даташит

Функция этой детали – «SpICe Model».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K100UF VMI
VMI
  Spice Model

Spice Model K100UF Electrical Characteristics and Maximum Ratings Part Working Number Reverse Voltage (Vrwm) Average Rectified Current (Io) Reverse Current @ Vrwm (Ir) Forward Voltage 1 Cycle Repetitive Reverse Surge Surge Recovery Current Current Time tp=8.3ms (3) (Ifsm) (Ifrm) (Trr) 25°C A Amps 25°C Amps 25°C ns Thermal Impedance Junction Cap. @50VDC @1kHZ (Cj) (Vf) 25°C Volts θJ-L L=.000 L=.250 °C/W °C/W 55°C(1) 100°C(2) 25°C 100°C Volts K100UF Amps Amps µA µA pF 10000 1.5 0
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "100UF", "K10"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
100UFG American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

Diode ( Rectifier )

pdf
DMP2100UFU Diodes
Diodes

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

NAEDWVPARNOCDEUICNTF O R M A T I O N DMP2100UFU DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary V(BR)DSS -20V RDS(ON) max 38mΩ @ VGS = -10V 43mΩ @ VGS = -4.5V 75mΩ @ VGS = -2.5V ID TA = +25°C -5.7A -5.4A -4.1A Description This new generation MOSFET has been desig
pdf
M100UFG New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Switching 10KV 0.025A 2-Pin

pdf
M100UFG American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

Diode (spec sheet)

pdf
SBT10100UFCT Pan Jit International
Pan Jit International

EXTREME LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

PSBT10100UFCT EXTREME LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Voltage 100 V Current 10 A Features  Ideal for automated placement  Extreme low forward voltage drop, low power loss  High efficiency operation  Low thermal resistance  Lead free in compliance with EU Ro
pdf
SHB100UF American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

Diode (spec sheet)

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты