|
M1173 даташитФункция этой детали – «64 Pattern Vision Persistence». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M1173 | ETC |
64 PATTERN VISION PERSISTENCE 一華半導體股份有限公司
MOSDESIGN SEMICONDUCTOR CORP.
TAIPEI : TEL : FAX : H.K. : TEL : FAX :
886-2- 22783733 886-2- 22783633 852- 27569109 852- 27566961
LED FLASH
64 PATTERN VISION PERSISTENCE
FEATURES 功能叙述
• 1 KEY 6 LED 64 patterns. • Built-in oscillator.
闪烁图案 IC
*LH TRG
M1173
LED
P1, P2, ...P8
P9, P10...P63
P64, P1, P2...
APPLICATION 产品应用
• Blinking LED, Functions indicator, Xmas decoration.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电气规格
Characteristics 工作电压 Operat |
Это результат поиска, начинающийся с "1173", "M1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
222202117332 | Vishay Intertechnology |
Aluminum Electrolytic Capacitors BCcomponents
DATA SHEET
021 ASM Aluminum electrolytic capacitors Axial Standard Miniature
Product specification Supersedes data of 12th June 2002 File under BCcomponents, BC01 2003 Feb 25
BCcomponents
Product specification
Aluminum el |
|
2SA1173 | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO=-140V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Low Saturation Voltage
APPLICATIONS ·Power amplifier applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMET |
|
2SB1173 | Panasonic |
Silicon PNP Epitaxial Planar Type Free Datasheet http:///
|
|
2SB1173A | Panasonic |
Silicon PNP Epitaxial Planar Type Free Datasheet http:///
|
|
2SC1173 | Toshiba Semiconductor |
SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS) |
|
2SC1173 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC1173
DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA473 ·Collector current :IC=3A ·Collector dissipation:PC=10W@TC=25? APPLICATIONS ·Low frequency power amplifier |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |