|
M11B16161A даташитФункция этой детали – «(m11x16161xa) 1m X 16 Dram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M11B16161A | EliteMT |
(M11x16161xA) 1M X 16 DRAM $%
DRAM
FEATURES
X16 organization EDO (Extended Data-Out) access mode 2 CAS Byte/Word Read/Write operation Single power supply : 5V ± 10% Vcc for 5V product 3.3V ± 10% Vcc for 3.3V product y Interface for inputs and outputs TTL-compatible for 5V products LVTTL-compatible for 3.3V products y 1024-cycle refresh in 16ms y Refresh modes : RAS only, CAS BEFORE RAS (CBR) and HIDDEN capabilities, y Optional self-Refresh capabilities(S-ver. Only) y JEDEC standard pinout y Key AC Parameter -45 -50 -60 tRA |
Это результат поиска, начинающийся с "11B16161A", "M11B161" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M11B16161SA | EliteMT |
(M11x16161xA) 1M X 16 DRAM $%
DRAM
FEATURES
X16 organization EDO (Extended Data-Out) access mode 2 CAS Byte/Word Read/Write operation Single power supply : 5V ± 10% Vcc for 5V product 3.3V ± 10% Vcc for 3.3V product y Interface for inputs and outputs TTL-compatible for 5V products L |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |