|
M120DB1 даташитФункция этой детали – «Mos Integrated Circuits». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M120DB1 | SGS |
MOS Integrated Circuits |
Это результат поиска, начинающийся с "120DB1", "M120" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
12015 | Motorola Semiconductors |
MC12015D Order this document by MC12015/D
Dual Modulus Prescaler
The MC12015, MC12016 and MC12017 are dual modulus prescalers which will drive divide by 32 and 33, 40 and 41, and 64 and 65, respectively. An internal regulator is provided to allow these devices to be used over a wide rang |
|
1201W | Stanley Electric |
BICOLOR CHIP TYPE LED s BICOLOR CHIP TYPE LED
1201W Series
Flat Lens Type 3X2.5mm
s Absolute Maximum Ratings
Power Dissipation Forward Current Peak Forward Current Reverse Voltage Operating Temp. Storage Temp.
Derating *
Pb IF IFM VR Topr Tstg ∆IF
Red Yellow BRPY 75 30 70 4
-30~+85 -40~+100
* |
|
1N1201 | Microsemi Corporation |
Silicon Power Rectifier |
|
1N1201 | New Jersey Semiconductor |
Diode Switching 150V 12A 2-Pin DO-4 |
|
1N1201 | Digitron Semiconductors |
SILICON POWER RECTIFIER 1N1199(A,B)-1N1206(A,B)
High-reliability discrete products and engineering services since 1977
SILICON POWER RECTIFIER
FEATURES Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. Available as non-R |
|
1N1201A | Microsemi Corporation |
Silicon Power Rectifier |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |