|
M121MNS1-R1 даташитФункция этой детали – «Tft Lcd Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M121MNS1-R1 | IVO |
TFT LCD Module Global LCD Panel Exchange Center
www.panelook.com
Document Title Document No.
InfoVision Optoelectronics ( Kunshan ) Co.,LTD.
M121MNS1 R1 Product Specification
Page No. 1/26
Issue date 2012/10/9 Revision 00
Product Specification
To:
Product Name: M121MNS1 R1
Document Issue Date: 2012/10/9
Customer
SIGNATURE
InfoVision Optoelectronics
SIGNATURE REVIEWED BY
PREPARED BY
Please return 1 copy for your confirmation with your signature and comments.
Note: 1. Please contact InfoVision Company. before designing your |
Это результат поиска, начинающийся с "121MNS1", "M121MNS1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M121MNS1-R0 | IVO |
TFT LCD Module Global LCD Panel Exchange Center
www.panelook.com
,QIR9LVLRQ 2SWRHOHFWURQLFV .XQVKDQ &R/7'
'RFXPHQW 7LWOH
0016 5 3URGXFW ,QIRUPDWLRQ
3DJH 1R
'RFXPHQW 1R
,VVXH 'DWH 5HYLVLRQ 9
3URGXFW ,QIRUPDWLRQ7HQWDWLYH
7R
3URGXFW 1DPH 0016 5
' |
|
2N1211 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-61 |
|
2N1211 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-61 |
|
2SD1211 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) Transistor
2SD1211
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency amplification Complementary to 2SB987
5.9± 0.2
Unit: mm
4.9± 0.2
s Features
q q
High collector to emitter voltage VCEO. Optimum for the driver-stage of a low-frequency and 40 to 60W output amplifier.
(T |
|
2SK1211 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK1211
DESCRIPTION ·Drain Current –ID=2.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=800V(Min)
APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta= |
|
2SK1211 | Fuji Semiconductors |
(2SKxxxx) Power MOSFET w
w
w
a d .
s a t
e h
4 t e
. u
m o c
Datasheet.es
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |