|
M170E7-L01 даташитФункция этой детали – «Lcd Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M170E7-L01 | CHI MEI |
LCD MODULE Global LCD Panel Exchange Center
www.panelook.com
One step solution for LCD / PDP / OLED panel application: Datasheet, inventory and accessory! www.panelook.com
Global LCD Panel Exchange Center
www.panelook.com
Issued Date: Sep. 27, 2005 Model No.: M170E7-L01
Approval
- CONTENTS -
REVISION HISTORY
1. GENERAL DESCRIPTION 1.1 OVERVIEW 1.2 FEATURES 1.3 APPLICATION 1.4 GENERAL SPECIFICATIONS 1.5 MECHANICAL SPECIFICATIONS
2. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 2.1 ABSOLUTE RATINGS OF ENVIRONMENT 2.2 ELECTRICAL ABSOLUTE RATINGS 2 |
Это результат поиска, начинающийся с "170E7", "M170E7-" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M170E7-L02 | CMI MEI |
TFT LCD Module www.jxlcd.com www.jxlcd.com
Issued Date: Mar. 08, 2006 Model No.: M170E7-L02
Approval
- CONTENTS REVISION HISTORY ............................................................................................................................... 3 1. GENERAL DESCRIPTION ........... |
|
2SA1707 | Sanyo Semicon Device |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Ordering number:EN3093
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1707/2SC4487
High-Current Switching Applications
Features
· Adoption of FBET, MBIT processes. · Large current capacity, wide ASO. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · Fast switching speed.
P |
|
2SA1707 | ON Semiconductor |
Bipolar Transistor Ordering number : EN3093A
2SA1707/2SC4487
Bipolar Transistor
(-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP
http://onsemi.com
Features
• Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage
• Large current capacity, wide ASO • Fast switchin |
|
2SB1707 | ROHM Semiconductor |
Low frequency amplifier 2SB1707
Transistors
Low frequency amplifier
2SB1707
!Application Low frequency amplifier Driver !External dimensions (Units : mm)
2.8 1.6
0.95 0.95
(1)
1.9
0.4
(3)
!Features 1) A collector current is large. (4A) 2) VCE(sat) ≤ −250mV At IC = −2A / IB = −40mA
(2)
2. |
|
2SC1707 | Hitachi Semiconductor |
LOW FREQUENCY AMPLIFIER MEDIUM SPEED SWITCHING |
|
2SD1707 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN epitaxial planar type Power Transistors
2SD1707
Silicon NPN epitaxial planar type
Unit: mm
(0.7)
For power switching Complementary to 2SB1156
21.0±0.5
15.0±0.3 11.0±0.2
5.0±0.2 (3.2)
■ Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory linearity of forward curre |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |