|
M1MA151WAT1 даташитФункция этой детали – «Common Anode SilICon Dual Switching Diodes». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M1MA151WAT1 | ON Semiconductor |
COMMON ANODE DUAL SWITCHING DIODES
M1MA151WAT1, M1MA152WAT1
Preferred Device
Common Anode Silicon Dual Switching Diodes
These Common Anode Silicon Epitaxial Planar Dual Diodes are designed for use in ultra high speed switching applications. These devices are housed in the SC−59 package which is designed for low power surface mount applications.
Features http://onsemi.com
3 ANODE
• Fast trr, < 10 ns • Low CD, < 15 pF • Pb−Free Packages are Available
2 CATHODE 1
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)
Rating Reverse Voltage M1MA151WA |
|
M1MA151WAT1 | Motorola Inc |
Common Anode Silicon Dual Switching Diodes MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by M1MA151WAT1/D
Common Anode Silicon Dual Switching Diodes
These Common Anode Silicon Epitaxial Planar Dual Diodes are designed for use in ultra high speed switching applications. These devices are housed in the SC–59 package which is designed for low power surface mount applications. • Fast trr, < 10 ns • Low CD, < 15 pF • Available in 8 mm Tape and Reel Use M1MA151/2WAT1 to order the 7 inch/3000 unit reel. Use M1MA151/2WAT3 to order the 13 inch/10,0 |
|
M1MA151WAT1 | Leshan Radio Company |
Common Anode Silicon Dual Switching diodes |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |