|
M1MA151WKT1 даташитФункция этой детали – «Common Cathode SilICon Dual Switching Diodes». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M1MA151WKT1 | ON Semiconductor |
COMMON CATHODE DUAL SWITCHING DIODES
M1MA151WKT1, M1MA152WKT1
Preferred Device
Common Cathode Silicon Dual Switching Diodes
These Common Cathode Silicon Epitaxial Planar Dual Diodes are designed for use in ultra high speed switching applications. These devices are housed in the SC−59 package which is designed for low power surface mount applications.
Features http://onsemi.com SC−59 PACKAGE SINGLE SILICON SWITCHING DIODES 40 V/80 V 100 mA SURFACE MOUNT
3 CATHODE
• Fast trr, < 3.0 ns • Low CD, < 2.0 pF • Pb−Free Packages a |
|
M1MA151WKT1 | Motorola Inc |
Common Cathode Silicon Dual Switching Diodes MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by M1MA151WKT1/D
Common Cathode Silicon Dual Switching Diodes
These Common Cathode Silicon Epitaxial Planar Dual Diodes are designed for use in ultra high speed switching applications. These devices are housed in the SC–59 package which is designed for low power surface mount applications. • Fast trr, < 3.0 ns • Low CD, < 2.0 pF • Available in 8 mm Tape and Reel Use M1MA151/2WKT1 to order the 7 inch/3000 unit reel. Use M1MA151/2WKT3 to order the 13 inc |
|
M1MA151WKT1 | Leshan Radio Company |
Common Anode Silicon Dual Switching diodes |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |