DataSheet26.com


M2045 даташит

Функция этой детали – «Programming Adapter».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M2045 ET
ET
  Programming Adapter

M2045 Specification Number: _________ PROGRAMMING ADAPTER SPECIFICATION Item: Description: 161602S300 AS-16-16-02S-3 REPLACEMENT SOCKET: S-SOL-00-016-B Call Emulation Technology for a replacement socket price and delivery quote. TYPICAL DIMENSIONS: Note: DIP base is .300" wide CONNECTION TABLE: 16-Lead SOIC SOCKET 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 16-Pin DIP Base 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 All Dimensions in Inches. (Assembly Drawing: F2045) PACKAGE SPECIFICATIONS: 10.3 (0.405)
pdf
M2045S Vishay Intertechnology
Vishay Intertechnology
  (M2035S / M2045S) High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

M2035S & M2045S Vishay General Semiconductor High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation 3 2 1 1 2 CASE TO-220AB • Solder Dip 260 °C, 40 seconds • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC TYPICAL APPLICATIONS For use in low voltage, high frequency rectifier of switching mode power supplies, free-wheeling
pdf
M2045S-E3 Vishay
Vishay
  Schottky Barrier Rectifier ( Diode )

www.vishay.com M2035S-E3, M2045S-E3 Vishay General Semiconductor Schottky Barrier Rectifier TO-220AB 3 2 1 12 3 CASE PRIMARY CHARACTERISTICS IF(AV) 20 A VRRM 35 V, 45 V IFSM VF at IF = 20 A 200 A 0.55 V TJ max. 150 °C Package TO-220AB Diode variations Single die FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Power pack • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Solder
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты