|
M2045 даташитФункция этой детали – «Programming Adapter». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M2045 | ET |
Programming Adapter M2045 Specification Number: _________
PROGRAMMING ADAPTER SPECIFICATION
Item: Description: 161602S300 AS-16-16-02S-3
REPLACEMENT SOCKET: S-SOL-00-016-B Call Emulation Technology for a replacement socket price and delivery quote. TYPICAL DIMENSIONS:
Note: DIP base is .300" wide
CONNECTION TABLE:
16-Lead SOIC SOCKET 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 16-Pin DIP Base 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
All Dimensions in Inches.
(Assembly Drawing: F2045)
PACKAGE SPECIFICATIONS:
10.3 (0.405) |
|
M2045S | Vishay Intertechnology |
(M2035S / M2045S) High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier M2035S & M2045S
Vishay General Semiconductor
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation
3 2 1
1 2 CASE
TO-220AB
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC TYPICAL APPLICATIONS For use in low voltage, high frequency rectifier of switching mode power supplies, free-wheeling |
|
M2045S-E3 | Vishay |
Schottky Barrier Rectifier ( Diode ) www.vishay.com
M2035S-E3, M2045S-E3
Vishay General Semiconductor
Schottky Barrier Rectifier
TO-220AB
3 2 1
12
3 CASE
PRIMARY CHARACTERISTICS
IF(AV)
20 A
VRRM
35 V, 45 V
IFSM VF at IF = 20 A
200 A 0.55 V
TJ max.
150 °C
Package
TO-220AB
Diode variations
Single die
FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Power pack • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Solder |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |