|
M22102 даташитФункция этой детали – «With Control Memory 4 X 4 X 2». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M22102 | STMicroelectronics |
WITH CONTROL MEMORY 4 X 4 X 2 CROSSPOINT SWITCHES M22101 M22102
4 X 4 X 2 CROSSPOINT SWITCHES WITH CONTROL MEMORY
. . . . . . . .
LOW ON RESISTANCE – 75 Ω TYP AT VDD = 12 V ”BUILT-IN” LATCHED INPUTS LARGE ANALOG SIGNAL CAPACITY ± VDD/2 10 MHz SWITCH BANDWITH MATCHED SWITCH CHARACTERISTICS ∆ RON = 8 Ω TYP, AT VDD = 12 V HIGH LINEARITY – 0.25 % DISTORTION TYP, AT f = 1 kHz, VIN = 5 V, VDD - VSS = 10 V AND RI = 1 Ω STANDARD CMOS NOISE IMMUNITY
DESCRIPTION The M22101 and M22102 crosspoint switches consist of 4 x 4 x 2 arrays of crosspoints (transmission |
|
M22102B1 | STMicroelectronics |
WITH CONTROL MEMORY 4 X 4 X 2 CROSSPOINT SWITCHES |
|
M22102F1 | STMicroelectronics |
WITH CONTROL MEMORY 4 X 4 X 2 CROSSPOINT SWITCHES |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |